文档介绍：半导体基本器件半导体基本器件1半导体二极管PN结的单向导电原理,二极管的伏安特性2半导体三极管⑴三极管输出特性中的截止区、放大区和饱和区等概念。⑵三极管共发射极电流放大系数的概念⑶三极管开关电路工作状态的分析方法3MOS场效应管⑴MOS场效应管的分类及符号⑵──电子和空穴半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质,如硅(Si),锗(Ge)。硅和锗的原子结构简化模型硅和锗都是四价元素,原子的最外层轨道上有四个价电子。──电子和空穴本征半导体(纯净的半导体晶体)热激发产生自由电子和空穴室温下,由于热运动少数价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位这个空位称为“空穴”。失去价电子的原子成为正离子,就好象空穴带正电荷一样。──电子和空穴空穴运动(与自由电子运动不同)有了空穴,邻近共价键中的价电子很容易过来填补这个空穴,这样空穴便转移到邻近共价键中。新的空穴又会被邻近的价电子填补。带负电荷的价电子依次填补空穴的运动,从效果上看,相当于带正电荷的空穴作相反方向的运动。──电子和空穴结论:本征半导体中有两种载流子①带负电荷的自由电子②带正电荷的空穴热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的,电子和空穴又可能重新结合而成对消失,称为“复合”。(1)N型半导体在硅晶体中掺入五价元素磷,多出的一个电子不受共价键的束缚,室温下很容易成为自由电子。磷原子失去一个电子成为正离子(在晶体中不能移动)。每个磷原子都提供一个自由电子,自由电子数目大大增加,远远超过空穴数。这种半导体主要依靠电子导电,称为电子型或N型半导体。(1)N型半导体自由电子:多数载流子(简称多子)空穴:少数载流子(简称少子)(2)P型半导体在硅晶体中掺入三价元素硼,硼原子与相邻硅原子组成共价键时由于缺少一个价电子而产生一个空位,这个空位很容易被邻近共价键中的价电子填补。硼原子得到一个电子成为负离子(在晶体中不能移动),失去价电子的共价键中出现一个空穴,每个硼原子都产生一个空穴,空穴数目大大增加,远远超过自由电子数。这种半导体主要依靠空穴导电,称为空穴型或P型半导体。(2)P型半导体的特点空穴:多数载流子(简称多子)自由电子:少数载流子(简称少子)