文档介绍：蒆电池片生产工艺流程袁一、,减少电池片的反射的太阳光,增加二次反射的面积。一般情况下,用碱处理是为了得到金字塔状绒面;用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。,硅与单纯的HF、HNO3(硅表面会被钝化,二氧化硅与HNO3不反应)认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中,硅则可以与溶液进行持续的反应。膈硅的氧化******/亚***(HNO2)将硅氧化成二氧化硅(主要是亚***将硅氧化)莅Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O(慢反应)莂3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O(慢反应)薈二氧化氮、一氧化氮与水反应,生成亚***,亚***很快地将硅氧化成二氧化硅。袈2NO2+H2O=HNO2+HNO3(快反应)莆Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O(快反应)(第一步的主反应)蒀4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)芁只要有少量的二氧化氮生成,就会和水反应变成亚***,只要少量的一氧化氮生成,就会和***、水反应很快地生成亚***,亚***会很快的将硅氧化,生成一氧化氮,一氧化氮又与***、水反应,这样一系列化学反应最终的结果是造成硅的表面被快速氧化,***被还原成氮氧化物。蚈二氧化硅的溶解膃SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四***化硅是气体)袃SiF4+2HF=H2SiF6蚀总反应莈SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O芅最终反应掉的硅以***硅酸的形式进入溶液。(氢氧化钠/氢氧化钾),、HCl冲洗,中和碱液,如不清洗硅片表面残留的碱液,,。罿二、-N结,POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源。POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点。(>600℃)分解生成五***化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下:肆芆但在有外来O2存在的情况下,PCl5会进一步分解成P2O5并放出***气(Cl2)其反应式如下:羃袇在有氧气的存在时,POCl3热分解的反应式为:袆肄生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:,在磷扩散时,为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。肅POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面,P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。。袂三、,即使采用背靠背的单面扩散方式,硅片的所有表面(包括边缘)都将不可避免地扩散上磷。P-N结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。经过刻蚀工序,硅片边缘带有的磷将会被去除干净,避免P-N结短路造成并联电阻降低。,HF再去除SiO2。化学反应方程式如下:蝿3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O螈SiO2+4HF=SiF4+2H2O羅SiF4+2HF=H2SiF6肃中间部分有碱槽,碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使其变得更加光滑;碱槽的主要溶液为KOH;H2SO4溶液的目的是为了使硅片在流水线上漂浮流动起来,不参与反应。:艿 袄干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时,它具备两个特点:一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多,根据被刻蚀材料的不同,选择合适的气体,就可以更快地与材料进行反应,实现刻蚀去除的目的;另一方面,还可以利用电场对等离子体进行引导和加速,使其具备一定能量,当其轰击被刻蚀物的表面时,会将被刻蚀物材料的原子击出,从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。蒃四、%左右。袅一方面,减反射膜提高了对太阳光的利用率,有助于提高光生电流密度,起到提高电流进而提高转换效率的作用。蚂另一方面,薄膜中的氢对电池的表面钝化降低了发射结的表面复合速率,减小了暗电流,提升了开路电压,从而提高了光电转换效率;在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键,游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。螀由于太阳电池级硅材料中不可避免的含有