矽力杰笔试题.doc

文档介绍：羃前三题为必做题,全为英文描述题干螇1、写出电阻R、电容C、电感L的V/I关系式;莆2、给出的电压值求NPN型三极管的、()***,,最后一部分是IClayout方向的笔试题:***简述CMOS的工艺流程螅给出nand2的管级图画出其layout。蒄下图电路图中有两个MOSFET(MAandMB)假设每个MOSFET有两个gatefinger,右下版图应如何连接,才能使MAandMB匹配。葿画出不同的电流镜图,并简述各自特点。衿面试时问到的问题蒄技术部:薄晶体管的工作原理袀你在青软实训学到了什么莇你觉得怎样布局、布线,该注意哪些方面薇Latch-up的原理,形成示意图并提取其电路图蚄ESD的工作原理,做ESD时你觉得应该注意哪些方面芁。。。。。。。。。。。。聿负责人:一直不停地从你回答的话中找问题,问问题,莆自对准工艺(SALICIDE)原理,后做栅会出现什么后果螄CMOS的工艺流程羆Latch-up的原理以及防止措施,Guardring的作用,保护作用具体是怎样做到的。螁Bandgap的晶体管部分为什么做成方形荿。。。。。。。。。。。。。。。。。仅供个人用于学****研究;不得用于商业用途。Forpersonaluseonlyinstudyandresearch;ürdenpersönlichenfürStudien,Forschung,'étudeetlarechercheuniquementàdesfinspersonnelles;merciales. толькодлялюдей,которыеиспользуютсядляобучения,исследованийинедолжныиспо