文档介绍：第九章常用半导体器件
第一节 PN结及其单向导电性
第二节半导体二极管
第三节特殊二极管
第四节晶体管
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第一节 PN结及其单向导电性
半导体基本知识
PN结
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一、半导体的导电特点
物质分为导体、半导体、绝缘体,半导体是4价元素。
半导体材料的特点:
半导体的导电能力受光和热影响
T°↑导电能力↑
光照↑导电能力↑
纯净的半导体掺入杂质导电性会大大增强。
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+4
纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
本征半导体中的载流子
自由电子(-)
空穴(+)
2. 本征半导体
空穴与电子成对出现并可以复合。
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3. 杂质半导体
N型半导体
掺五价元素,如磷,自由电子数多于空穴数,自由电子数是多子。
P型半导体
掺三价元素,如硼,
空穴数多于自由电子数,空穴是多子。
载流子由于浓度差异而形成运动所产生的电流叫扩散电流。
在电场作用下,载流子定向运动而形成的电流叫漂移电流。
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1. PN结的形成
二、  PN结
扩散运动
空间电荷区
削弱内电场
漂移运动
内电场
动态平衡
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-
P
内电场
电荷区空间
扩散运动
漂移运动
N
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外电场方向与内电场方向相反
空间电荷区(耗尽层)变薄扩散>漂移
导通电流很大,呈低阻态
2. PN结的单向导电性
-
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-
P
N
内电场
外电场
加正向电压(正偏) P(+) N(-)
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外电场与内电场相同
耗尽层加厚漂移>扩散
形成反向电流IR,很小。呈高阻态
N
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P
内电场
外电场
加反向电压(反偏)P(-) N(+)
PN结正偏,导通;PN结反偏,截止
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第二节半导体二极管
半导体二极管的伏安特性
半导体二极管的主要参数
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一、半导体二极管的伏安特性
+
P区--阳极
N区--阴极
阳极
阴极
1. 正向特性
死区电压
硅管
锗管
正向导通电压
硅管
锗管
i (mA)
u (V)
反向击穿电压
死区
Ge
Si
2.  反向特性
反向饱和电流很小,可视为开路,
反向电压过高,电流急增,二极管发生击穿。
导通电压
VD
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