文档介绍：第四章主存储器
主存储器处于全机的中心地位 P105
主存储器的分类
存储器系统的分类如图所示。
ROM (不可改写 ROM)
ROM(只读存储器) PROM (一次可改写 ROM)
EPROM (多次可改写 ROM)
内存储器 E2PROM(多次电可改写 ROM)
flash memory(快擦型存储器)
SRAM (静态存储器)
RAM(随机存储器)
DRAM(动态存储器)
主存储器的技术指标
存储容量是指存储器系统能容纳的二进制总位
数,常用字节数或单元数×位数来描述。
(1) 字节数
若主存按字节编址,即每个存储单元有8位,
则相应地用字节数表示存储容量的大小。
1KB=1024B,1 MB=1K×IK=1024×1024B,
1 GB=1 KMB=1024×1024×1024B。
(2) 单元数×位数
若主存按字编址,即每个存储单元存放
一个字,字长超过8位,则存储容量用单
元数×位数来描述。
(1)存取时间Ta
存取时间是指从启动一次存储器操作到
完成该操作所经历的时间。
(2)存取周期Tm
存取周期又称读写周期、访问周期,它
是指存储器进行一次完整的读写操作所
需的全部时间,即连续两次访问存储器
操作之间所需要的最短时间。
一般情况下Tm>Ta。这是因为对任
何一种存储器,在读写操作之后,总要
有一段恢复内部状态的复原时间。对于
破坏性读出的存储器,存取周期往往比
存取时间要大得多,甚至可以达到Tm=
2Ta,这是因为存储器中的信息读出后
需要马上进行再生。
存取时间与存取周期的关系见图 。
启动存取存取完下次存取
t1 t2 t3
存取时间恢复时间
存取周期
图 读写时间与存取周期的关系
存取周期的倒数1/Tm,称为存取速度。
它表示单位时间内能读写存储器的最大
次数。1/Tm乘以存储总线宽度W就是
单位时间内写入存储器或从存储器取出
信息的最大数量,称为最大数据传送速
率,单位用位/秒表示。
主存储器的基本结构和基本操作
主存储器原理结构框图(见P107)。
存储器的基本操作如下:(见P107)
(1)读操作
地址→AR ,CPU发读命令,则:M(AR)
→DR,存储器发ready命令。
(2)写操作
地址→AR ,数据→DR, CPU发写命令,
则DR→M(AR),存储器发ready命令。
读/写存储器(RAM)
静态存储器(SRAM)
静态半导体存储器(SRAM):可随机读写;
其存储的数据表示为晶体三极管构成的
双稳态电路的电平;存储数据稳定;不
需刷新。