文档介绍：第4章  内部存储器作业练习题
 
• Flash存储器和传统的只读存储器相比有什么优点?
        快闪存储器Flash是在EEPROM基础上发展起来的非易失性存储器。与传统的只读存储器相比具备以下优点:集成度高、单片容量大、单位容量价格便宜、容易改写可以实现局部(页)擦除。
•与硬盘、RAM相比较,Flash存储器有什么优势和缺陷?
        Flash存储器与硬盘相比具有存取速度快、体积小、重量轻、无噪音、抗震动、抗电磁干扰、功耗低等优势,但是容量低,单位容量价格高;
        Flash存储器与RAM相比具有非易失性的优势,但是寿命短,可擦写次数少,读写速度慢,且不能完成完全随机读写。
•内存的速度怎样定义?什么是内存的带宽?
        描述内存的速度的最主要指标是读取时间:读取时间=从发出读出命令到信息稳定在存储器输出端的时间,一般单位为ns(10-9秒)
        内存的带宽:(存储器位数/8)×读取速度峰值,单位为MB/s
•从存储机理、芯片结构和应用三个方面比较SRAM和DRAM。
        SRAM的存储机理:存储电路由多个MOS管组成的双稳态触发器为核心,在不掉电的情况下可保持一个逻辑“0”或一个逻辑“1”的状态。
        DRAM的存储机理:MOS管加电容器动态存储电路,其记忆信息的机理是依靠电容器存储电荷的状态,电容器有电荷时为逻辑“1”,没有电荷时为逻辑“0”。
        SRAM的芯片结构:芯片内部包括由触发器构成的存储阵列、以及地址译码器、存储控制逻辑和I/O缓冲器组成。
       DRAM的芯片结构:芯片内部包括由MOS管和电容器构成的存储矩阵、读写控制和刷新控制电路、I/O缓冲器构成。其中,存储阵列为多页面结构,地址线为行地址和列地址分别传送,由行选通信号(RAS)和列选通信号(CAS)控制。
       应用方面:DRAM比SRAM集成度高、功耗低,从而成本也低,适合于做大容量存储器,主存通常采用DRAM;SRAM通常被用作高速缓冲存储器(Cache)。
•简述从EDO DRAM到SDRAM存储器采用的改进技术。
       EDO DRAM属于“非同步存取的存储器”,而SDRAM作为动态随机存储器,支持高速时钟频率(66MHz以上),且不必插入指令等待周期,将RAM通过一个固定的时钟连接,使得RAM与CPU能同步工作;
       EDO存储模组中只有一个Bank(存储体),SDRAM一般有两个Bank,在单元组织上采用交叉存放,Bank0和Bank1交错读写,在读写某一个Bank时,另一个bank完成预充电,使得读取效率得到成倍提高。
•比较SDRAM与DDR SDRAM的特点。
        SDRAM,DDR SDRAM的读写都是和系统总线时钟clock同步的。