文档介绍：第五章存储器系统
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5-1 概述
一、存储器的分类
1、按工作性质分类
内部存储器
作用:用于存储当前运行所需要的程序和数据,和CPU直接交换信息。
特点:容量小,工作速度高。
外部存储器
作用:用于存放当前不参加运行的程序和数据,一般和内存交换信息。
特点:容量大,存取速度较慢。
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2、半导体存储器的分类
半导体
存储器
读写
存储器
RAM
只读
存储器
R0M
双极型
RAM
金属氧化物
(MOS)RAM
存取速度快;与MOS RAM相比集成度低,功耗大,价格高
静态读写存储器(SRAM)
动态读写存储器(DRAM)
掩模工艺ROM
一但写入不能改变,成本较低。
可一次编程ROM
可写入一次
可擦去PROM
EPROM
可用紫外线擦除
EEPROM
用电可擦除
速度较快几十—几百ns,集成度较高,价格较便宜。
速度较快几十—几百ns,集成度很高,价格低,需动态刷新。
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二、存储器的主要性能指标
1、存储容量
存储单元× 每个存储单元可存位数
例:
6264 SRAM 的存储容量为 8K × 8 bit 即 8K个字节。
NMC41257 的存储容量为256K ×1bit 即 32K个字节。
2、存取时间
3、可靠性 MTBF(平均故障间隔时间)
4、功耗
5、价格
4
5-2 随机存储器(RAM)
一、静态随机存储器(SRAM)
用途:主要用于小容量的存储系统中
典型芯片:
6116(2K×8bit ),6264(8K×8bit ),
62256(32K×8bit )等。
6264采用CMOS工艺制造,28引脚封装,容量为8KB。
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6264引脚图
封装及引脚
A0~A12地址输入,213=8192=8K
D0~D7双向数据线
WE 写允许信号
OE 读允许信号
CS1 CS2 片选信号
6264
9
(a) 8K×8 SRAM引脚图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
10
11
12
13
14
20
28
27
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
V
CC
CS
2
A
3
A
2
A
1
A
0
I/O
8
I/O
7
I/O
6
I/O
5
I/O
4
WE
OE
1
CS
1、6264存储芯片的引线及其功能
6264的外部结构
6
表5-1 SRAM 6264真值表
CS1
CS2
OE
WE
工作方式
I/O线状态
1
×
0
0
0
0
×
0
1
1
1
1
×
×
1
0
1
0
×
×
1
1
0
0
未选中(掉电)
未选中(掉电)
输出禁止
读
写
写
高阻
高阻
高阻
DOUT
DIN
DIN
7
2、6264工作过程
6264写操作时序:
在芯片的 A12~A0上加上要写入单元的地址;
在D7~D0上加上要写入的数据;
使CS1和CS2同时有效;
在WE上加上有效的低电平,OE无效高电平。
A12~A0
CS1
CS2
WE
D7~D0
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6264的工作过程
3、连接使用
芯片的选片信号是由高位地址和控制信号译码形成的,由它们来决定芯片在内存的地址范围。
1)全地址译码方式
每一个存储单元唯一地占据内存空间的一个地址。地址线全部参预了译码。
低位地址(A0—A12)经片内部译码可以决定芯片内部的每一个单元,高位地址(A19—A13)利用译码器来决定将芯片放置在内存空间的什么位置上。
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全地址译码例
所接芯片的地址范围
F0000H~F1FFFH
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
&
1
6264
CS1
10