文档介绍：分类:基础技术-文章更新时间:2007-01-2516:11:55摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,:MOSFET  结构  特性  驱动电路  发展Abstract:Thispaperelaborate  MOSFETframe、workelements、staticstate、haracteristic,haracteristicimproveoncarryoutdiscuss,:MOSFET  frame  characteristic  drivecircuit  :MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S),但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(MetalOxideSemiconductorFET),简称功率MOSFET(PowerMOSFET).结型功率场效应晶体管一般称作静电杏骞埽⊿taticInductionTransistor——SIT).其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,:;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(VerticalMOSFET),,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(VerticalDouble-diffusedMOSFET),,如国际整流器公司(InternationalRectifier)的HEXFET采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形单元按“品”:漏源极间加正电源,,:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,