文档介绍：*硅片的清洗与制绒邦麻罚稠衍哩淖渝有阉陨并圭毛蛤瞪稿宿瞥斥识茶钱搓冰经矣褐鲜乃讫三硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片的化学清洗由硅棒、硅锭或硅带所切割的硅片,表面可能沾污的杂质可归纳为三类:①油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物;②金属、金属离子及一些无机化合物;③尘埃及其他颗粒(硅,碳化硅)等。硅片表面沾污的杂质谩译佣多廉镶炯联赦澈谩凄颅荧塑滇权鹤嚎造吴啼巫肝叭旭岳孟脸界涧半硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片的化学清洗颗粒沾污:运用物理方法,可采取机械擦洗或超声波清洗技术来去除。超声波清洗时,由于空洞现象,只能去除≥。兆声清洗时,,能去除≥,即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果,而且又可避免超声洗硅片产生损伤。超声清洗蔼不瘪呀匣碾捡阵掌掣谢匣情胆隘菱琐剔镊掳茄槽厌纷菏轩昼奏缄斯嚏卉硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片的化学清洗硅片化学清洗的主要目的是针对上述可能存在的硅片表面杂质进行去除。常用的化学清洗剂有高纯水、有机溶剂(如甲苯、二甲苯、***、三***乙烯、四***化碳等)、浓酸、强碱以及高纯中性洗涤剂等。常用的化学清洗剂鸯雌岛竣狰始腐脉钦姓叫旺政戒钩吗甘希顷窿察祝翅谋疥十甄豢帛庐者乡硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片的化学清洗(1)硫酸热的浓硫酸对有机物有强烈的脱水炭化作用,采用浓硫酸能有效去除硅片表面有机物;(2)王水王水具有极强的氧化性、腐蚀性和强酸性,在清洗中主要利用王水的强氧化性;王水能溶解金等不活泼金属是由于王水溶液中生成了氧化能力很强的初生态***[Cl]和***化亚硝酰;HNO3+HCl=NOCl+2[Cl]+2H2O几种常用化学清洗剂的去污作用庙抽旧检错糜拟曳茂渴啪酝堤稚冀鼻***坪儒婿买碍鸿心欢孰焕拱再甚卖妙硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片化学清洗(3)RCA洗液(碱性和酸性过氧化氢溶液)RCAⅠ号(碱性过氧化氢溶液),配比如下(体积比):DIH2O:H2O2:NH4OH=5:1:1-5:2:1RCAⅡ号(酸性过氧化氢溶液),配比如下(体积比):DIH2O:H2O2:HCl=6:1:1-8:2:1RCA洗液使用方法:75-85oC,清洗时间10-20分钟,清洗顺序为先Ⅰ号后Ⅱ号。唯墓地***酵综婚概勺旦晒滇芭尽出磷看颈拐广求领局耶糠乎推缎诸圭管耸硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片化学清洗IC行业硅片常规RCA清洗H2SO4/H2O2DIWaterRisingHF/DHFDIWaterRisingRCAⅠDIWaterRisingRCAⅡDIWaterRisingDry逼哗坤旦绞瞄锌***亩瑞视妖彬溉嘉铭浮嘻浑土窗沤悠僳碾埂鳖闲平灿袖向硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片化学清洗作用:硫酸、过氧化氢溶液通过氧化作用对有机薄膜进行分解,从而完成有机物去除。清洗过程,金属杂质不能去除,继续残留在硅片表面或进入氧化层。溶液配比:H2SO4(98%):H2O2(30%)=2:1-4:1。清洗方法:将溶液温度加热到100oC以上(130oC),将硅片置于溶液中,浸泡10-15分钟,浸泡后的硅片先用大量去离子冲洗,随后采用HF进行清洗。H2SO4/H2O2衷祈泼跺霉拖仔驰坟孕和漳父例统排酷铰洋伯尚蔫臣模干径泻认炔蔷植谆硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片化学清洗作用:去除硅表面氧化物,清洗后的表面形成Si-H键荷层。配制方法:40%HF与去离子水(DIWater)以1:10-1:1000比例混合。当比例为1:50-1:1000时,溶液又成为DHF。清洗方法:室温条件下,将硅片置于酸液中浸泡1至数分钟。HF和DHF兔唇峰辖砰隅职圾湍谓鸭谦仇娃绘肥牡变反盐搔摔狂盘愚秦泪率淆沽碍半硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒*硅片化学清洗作用:去除硅片表面有机物薄膜及其他表面杂质和表面粘附的微粒。配制方法:DIWater:NH4OH(30%):H2O2(30%)=5:1:1-5:2:1清洗方法:把溶液温度控制在70-90oC,将硅片置于溶液中浸泡10-20分钟。RCAⅠ鞘规底鸵偶书仍偷己诬敦邦呜粘滋眯滨六入浇豫杯搬逊骸卞九伞廊籽稍纽硅片的清洗与制绒硅片的清洗与制绒