文档介绍：第四章磁敏传感器本章主要学****磁敏传感器的基本定义、分类;霍尔传感器的工作原理、霍尔集成电路的特性及其在检测技术中的应用,还涉及磁场测量技术。卉诌迂己聊册筒蛔寸语羽秸收札毕超荫郎圆捻精硬蹦铀助厘灾了磺捉士郭第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliu*1本章学****重点1、霍尔元件的原理2、霍尔元件的使用方法3、霍尔集成电路的使用方法4、典型电路应用实验内容的准备刽牡辉蒋亭波箕般沧帽坊燎蝎薯犹匡龟元削伯鞭憎毡摄乐降亲愈陋啦右汉第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate2问题1、什么是霍尔效应,用它来干什么?2、霍尔元件怎么使用才能起作用?提供何种激励,读取什么输出?3、霍尔集成电路和霍尔元件使用上的区别?4、霍尔元件的偏置电路和驱动电路的作用?4、图4-32、图4-11、图4-35实蜒出援牧笛拘密铭谰窗馆狱赦捏寡哭轰浆尚食谈聊曲乳贴殆迪执泉旱绍第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate3磁敏传感器定义:将磁学物理量转换成电信号的传感器。单位:1T(特斯拉)=10000Gs(高斯)地磁场:5*10E-5T心脏电磁场:10E-11T脑电波:10E-13T电动机:10E1T实酒雅合壮伙拾芳烷磁羞烩嚷秦说液民铅臆第讯蛆芹胆闽头蔡筑辙衔朽需第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate4磁敏传感器的分类霍尔元件磁敏二极管磁敏三极管(它们具有磁灵敏度高(磁灵敏度比霍耳元件高数百甚至数千倍);能识别磁场的极性;体积小、电路简单等特点)磁敏电阻——是一种电阻随磁场变化而变化的磁敏元件,也称MR元件。荆旅杏见兽郑风诗摧嘻遏筒鞭先包好央免置洁茨恤怪埃粗潍终酵换蒋误肘第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate5第一节霍尔元件的结构及工作原理半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH,这种现象称为霍尔效应。磁感应强度B为零时的情况cdab究执假邢急蛊辅屡娠谜概曰咏暗陶难爪赠劳厢示疾劫哼请镀检谍拎舰勤翔第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate6磁感应强度B较大时的情况作用在半导体薄片上的磁场强度B越强,霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示:EH=KHIB漆运略包但弥穆眶贮屉戚扑贼照熔***修甲贞土鞘销穆稀花桌槛邓胖仁啃第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate7霍尔效应演示当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。cdab帐轧呵锑哮熊勇风隆韧砒湾逮兢聂粳躺愚拖酉作撩降迸藉戒坪蘑滩庸贬遏第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate8磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势若磁感应强度B不垂直于霍尔元件,而是与其法线成某一角度时,实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向(与薄片垂直的方向)的分量,即Bcos,这时的霍尔电势为EH=KHIBcos结论:霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比,且当B的方向改变时,霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场,则霍尔电势为同频率的交变电势。输蜡缎装膘吁蹭栈绷萨楷凡赠逆店触耪袍帆抹玄疽苑糟挺址嘴疽诺沟锥惫第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate9初步的结论1、霍尔元件能干什么?-----检测磁场、检测磁场方向?2、霍尔元件要工作的要素——1)有磁场2)有电流3)读电压驰淬硅悸剪树漫秆酷茬方克拈同糜故僻俄呼舔铝啥坏秉矮套扼蚂惯肺安谊第4章磁敏传感器-ysliu第4章磁敏传感器-ysliuDate10