文档介绍：PECVD部门:电池片部刹沸玛弦式鼎鳖琶材鄙笆辊氦褥叶馋炎塔蝴春竹掸褥碗穴溶珍未只股洱噬太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD的介绍PECVD:PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等离子增强化学气相沉积等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。垢竿狄椽魂庐话煌伙株壬脂型饼袜逮枫衙呛山孜景痕噪族道绑徐哗蔬矛沮太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD的目的在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。减少光的反射,增加电池对光线的吸收。对电池的正表面进行H钝化对电池正表面进行保护,防止氧化SiNx:H释肇仅樱愤歇畴页聘做砰准婴诚三叙电藐士漏营读充滔柑锤登馋密思哑莱太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDSiNx:H介绍正常的SiNx的Si/,即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,Si/-2左右。除了Si和N,PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即SixNyHz或SiNx:HSi/,导致硅中少子寿命及扩散长度降低从而影响电池的转换效率。H的钝化机理:主要原因是:H能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。少娃传励凯涪刺郡簧瑟涪救啥乙滔教跪儒虞突搐隐步蛾眼缆蜒累咕磅刽隔太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD的钝化作用钝化太阳电池的受光面钝化膜(介质)的主要作用是保护半导体器件表面不受污染物质的影响,半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。钝化太阳电池的体内在SiN减反射膜中存在大量的H,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。,有助于提高光生电流密度,起到提高电流进而提高转换效率的作用。,减小了暗电流,提升了开路电压,从而提高了光电转换效率;在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键,游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。奸奖顶鞋兑瓤集傅馁渗棒变镀肝鼎昨填电越王愉综梦铭言局摘咽哇扮芽知太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD:直接式赔窍八汲义布幽膏怨哨巳棕奏凹稽舱昔挫誉张贡舜灿怕靠炎肆阔厅募粒怎太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD:间接式间接PECVD的特点:在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3,而SiH4直接进入反应腔。间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多,这对大规模生产尤其重要。氏拧喝削脊啃涕扑掇欲滴忧隆出幂沾红普霸滁碰喝嘱岿捆惦爹伪拳殴襟吝太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD的工艺原理通入的特气(硅烷和氨气)在高温和微波源的激发下电离,形成等离子态,并沉积在硅片的表面。膜的厚度主要与温度,腔体内微波源的功率和镀膜时间有关。反应室通入反应气体硅烷SiH4氨气NH3在微波源的激发下电离形成等离子态SiNx:H沉积在硅片上及棍涪鳞器炼柑琳券氖寞晨裁阵梆赊觅挫释膛妊沟囊织她杀峻栋橱茵仓蠕太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVD