文档介绍：第五章
存储系统及半导体存储器
主
要
内
容
半导体存储器的分类
随机存取存储器
只读存储器
CPU与存储器的连接
微机中存储系统的结构
半
导
体
存
储
器
的
分
类
随机存取存储器
双极性半导体RAM
动态金属氧化物(MOS)RAM
读写存储器
掩膜式ROM
可编程ROM(PROM,Programmable ROM)
可擦除的PROM(EPROM,Erasable Programmable ROM)
电可擦除的PROM(E2PROM,Electrically Erasable Programmable ROM)
随
机
存
取
存
储
器
静态RAM(SRAM)
基本的存储电路
典型的静态RAM芯片
6116(2KB×8位)、6264(8KB×8位)、62256(32KB×8位)、628128(128KB×8位)等。
随
机
存
取
存
储
器
动态RAM(DRAM)
单管动态存储电路
动态RAM的刷新
为保持电容中的电荷不丢失,必须对动态RAM不断进行读出和再写入
随
机
存
取
存
储
器
动态RAM(DRAM)
64K位动态RAM存储器
芯片2164A的容量为64K×1位,即片内共有64K(65536)个地址单元, 每个地址单元存放一位数据。需要16条地址线,地址线分为两部分:行地址与列地址。
芯片的地址引线只要8条,内部设有地址锁存器,利用多路开关,由行地址选通信号变低(Row Address Strobe),把先出现的8位地址,送至行地址锁存器;由随后出现的列地址选通信号(Column Address Strobe)把后出现的8位地址送至列地址锁存器。这8条地址线也用于刷新(刷新时地址计数,实现一行行刷新)。
随
机
存
取
存
储
器
64K存储体由4个128×128的存储矩阵构成。每个128×128的存储矩阵,有7条行地址和7条列地址线进行选择。7条行地址经过译码产生128条选择线,分别选择128行;7条列地址线经过译码也产生128条选择线,分别选择128列。
随
机
存
取
存
储
器
锁存在行地址锁存器中的7位行地址RA6~RA0同时加到4个存储矩阵上,在每个矩阵中都选中一行,则共有512个存储电路被选中,它们存放的信息被选通至512个读出放大器,经过鉴别、锁存和重写。锁存在列地址锁存器中的7位列地址CA6~CA0(地址总线上的A14~A8),在每个存储矩阵中选中一列,则共有4个存储单元被选中。最后经过1/4 I/O门电路(由RA7与CA7控制)选中一个单元,可以对这个单元进行读写。
只
读
存
储
器
只读存储器ROM,是一种非易失性的半导体存储器件。其中所存放的信息可长期保存,掉电也不会丢失,常被用来保存固定的程序和数据。在一般工作状态下,ROM中的信息只能读出,不能写入。对可编程的ROM芯片,可用特殊方法将信息写入,该过程被称为“编程”。对可擦除的ROM芯片,可采用特殊方法将原来信息擦除,以便再次编程。
只
读
存
储
器
掩膜式ROM
掩膜式ROM一般由生产厂家根据用户的要求定制的。