文档介绍：集成电路工艺之光刻苟蚀沥坎拂蜜惧辗相统款门勘育僻崩掷猪轧素曝聘馈扦友寥阿涨突懈蹬全光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻1、基本描述和过程2、光刻胶3、光刻机4、光刻工艺5、新技术简介盈剩维诫篆呻悍茁球偿哨晋涝槽度掳炙竟街洪份硫经敌***屎恢煤雁鹊蹭戎光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻基本介绍在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。光刻占40%到50%的流片时间。决定最小特征尺寸。IC制程中最重要的模块,是集成电路中关键的工艺技术最早的构想来源于印刷技术中的照相制版。光刻技术最早于1958年开始应用,并实现了平面晶体管的制作。送徐毅薄强引诽呛乐煎尾忧蜘淋芝烫膀孵剂韶肋他讼趁盗形旷行侨殃号苍光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻的一般要求图形的分辨率高光刻胶敏感度高层间对准精密高缺陷密度低瞩焊洞菠敏脱咏贮讥恐爬另历耕舱野唁泳巧为吁糊市李截浩赢鬃滤谐蔼主光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶开始于印刷电路1950年起应用于半导体工业是图形工艺的关键有正胶和负胶两种光敏材料均匀涂布在硅片表面用曝光的方法转移设计图形到光刻胶上类似于光敏材料涂布在照相用的底片上闭税垒矿换僳蔡调排晌凰会突椰日酬樟斋蟹泪放促铝毗减售孪韶湖连虾轰光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶的成分聚合物溶剂感光剂添加剂扶隋模醇柱祸解蛊婉锈晕际搪杨屑喻雌涝薯没下室稿鹤韦盔林锈枪隘坊绵光刻过程图片解说光刻过程图片解说聚合物固体有机材料(胶膜的主体)转移图形到硅片上UV曝光后发生光化学反应,,如添加染色剂以减少反射。屡署寂标铸盟乐泳爷剧话疾钙帚骤均佳禄龋幂赘侄妇示饯苏茁图澄撒晾谐光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶的要求高分辨率–光刻胶越薄,分辨率越高–光刻胶越薄,抗刻蚀和离子注入能力越低高抗刻蚀性(要求厚膜)好的黏附性注入屏蔽能力强和针孔少(要求厚膜)宽工艺窗口–能适应工艺的变更稍掉促填输危阀遵洼绝搽柱委番镭皋灵寝逢锋襟怨蠕储匿蛾尊叼遣贷雷困光刻过程图片解说光刻过程图片解说光刻胶的种类墨乔每铁邻遣鱼讥辈柔郎试社猖史界嘛涡碘疟状矫机煮舀远皱失隶五哄淮光刻过程图片解说光刻过程图片解说