文档介绍：Forpersonaluseonlyinstudyandresearch;mercialuseFDW9926A:,拥有飞兆半导体先进的PowerTrench工艺。它已被优化用来处理宽栅极电压的电源管理。应用电池保护负荷开关电源管理,(ON)=32mΩ***@VGS=(ON)=45mΩ***@VGS=(±10V)对极低的RDS(ON)采用高性能沟道技术薄型TSSOP-8封装绝对最大额定值TA=25℃除非另有说明参数额定值单位VDSS漏-源电压20VVGSS栅-源电压±12VID漏极电流-----连续(注1a)-----(注1a)(注1b),TSTG工作和存储的温度范围-55到+150℃热特性RθJA热阻,接面至环境(注1a)(注1b)125℃/W208封装标志与订购信息器件标号器件卷轴尺寸胶带宽度数量9926AFDW9926A13”12mm3000单位电气特性TA=25℃除非另有说明信号参数测试环境最小值典型值最大值单位关闭特性BVDSS漏源击穿电压VGS=0V,ID=250mA20V∆BVDSS∆TJ击穿电压温度系数ID=250mA,Referencedto25°C12mV/℃IDSS零栅电压-漏电流VDS=16V,VGS=0V1mAIGSS栅极-基极漏电流VGS=±12V,VDS=0V±100nA开启特性(注2)VGS(th)栅极阈值电压VDS=VGS,ID=(th)TJ栅极阈值电压温度系数ID=250mA,Referencedto25℃–3mV/°CRDS(on)静态漏源导通电阻VGS=,ID==,ID==,ID=,TJ=125℃243433324548mWID(on)使用状态漏电流VGS=,VDS=5V15AgFS正向跨导VDS=5V,ID==10V,VGS=0V,f==15mV,f=(注2)td(on)开启延迟时间VDD=10V,ID=1A,VGS=,RGEN=6W816nstr开启上升时间816nstd(off)关闭延迟时间1526nstf关断下降时间48nsQg总栅极电荷VDS=10V,ID=,VGS==0V,IS=(注2)=,diF/dt=100A/μs14nSQrr二极管反向恢复电荷4nC注:,RθJA是接面至外壳,接面至环境热阻的总和。RθJA是基于用户设计电路板设计而由保证设计的。a)当安装在安装在FR-4的1平方英寸铜焊垫上,RθJA是125°C/W(稳态