文档介绍：PN结工作原理 硅与大核元素混合结晶为半导体,混入大核元素量不同或混入不同大小核元素导电性也不同,当不同性质半导体紧密接合则在接触面形成单向导电层PN结。这种特性传统物理学认为半导体P层存在空穴N层存在自由电子。但据固体特性原子接收电子和失去电子则元素发生质变或原子间共用电子关系破坏固体被熔解和气化,因此,正常情况下两种不同电性半导体接触面(PN结)处原子是不可能存在电子跃出或接收的,那么为什么不同电性半导体接触面可形成单向导电?据本人掌握知识其原因如下: 研究之前首先确定:电流是核振波和原子核极方向调转波。 硅晶混入大核原子越大量越多晶体正电性越强,否则晶体正电性越弱,当两种不同电性半导体接触则负电性较弱一侧原子核在负电性较强一侧引力下发生偏移,也可以是原子正极调向负电性较强一侧形成N层。同理负电性较强一侧原子中的电子在N层引力下向P层靠近形成P层。电性不同半导体在接触面处原子极方向或核偏移形成固定方向排列或核向固定方向偏移,见图,这种接触关系类似风箱进气阀门,只允许单向气体流动,当电流(负电压)冲击PN结时则出现下列2种情况: (负电压)从左侧冲击PN结时接触面原子极方向在负电压影响下调转方向或核向电流流进方向移动,因此PN结允许电流从N区流进P区。 (负电压)从右侧冲击PN结时接触面原子极方向在负电场引力下不能调转也不存在核移动因此没有电流从P区流进N区呈关闭状态。 注:在此原子正电性强与弱由原子核大小决定,在同压力温度环境下原子核越大原子正电性越强电子层厚度越小,否则相反。原子内不存在质子,中子是带正电性的最小基本粒子。PN结单向导电原理可解释不同导体接触面双向电阻不同,在不同方向电流冲击下可造成接触面发热或击穿(熔解)能力不同,当然自然环境下的PN结现象非常多。以下无正文仅供个人用于学****研究;不得用于商业用途。F