文档介绍：闪存,万物的救星闪存是目前最常用的存储技术之一。本文将对此进行介绍。假设当拿出手机的电池后,其中保存的所有电话号码都丢失了,或者需要持续对数码相机保持供电。否则假日拍摄的照片都会消失。这样的设备对我们来说意义就几乎没什么用处,就像对于很老的收音机,在拔掉插头后。其中存储的电台信息肯定都会消失,我们也不会希望新的收音机能够保存这些信息。但是无论是否记得充电,我们肯定都希望自己的MP3随身听可以保留所有歌曲,只要通电后就可以播放。对于这些设备,我们都需要使用非易失性内存,这类内存可以在断电后继续保留数据。在大部分比较新的设备中,这种内存都是指闪存,小巧、廉价,而且几乎所有电子设备中都存在。这种存储设备已经开始有取代硬盘的趋势,一些产品,例如Apple全新的MacbookAir笔记本电脑就有使用闪存的版本,而华硕EeePC也需要使用这类存储设备。那么闪存到底是什么?工作原理是什么?在不同品牌和型号的产品之间有多少差别?在购买时是否有什么注意事项?在本文中,我们会详细介绍上述问题。闪存的工作原理如果您想要知道的仅仅是不同品牌和型号之间的差别,请跳过这一段,直接阅读下文有关购买的章节。但如果您希望了解有关闪存的技术信息,请阅读本节。闪存通过存储微小的电信号,并用这些信号代表不同的二进制位的方式工作,这些电信号在恰当的条件下可以保存长达数年的时间。闪存使用经过特殊配置的晶体管(通常是金属氧化物半导体场效应管,也就是Mosfet)保存所有的电信号,常见的Mosfet具有三个连接,通常被称作Source、Drain以及Gate(参见上图),Source和Drain之间的“通道”在门接线端(GateTerminal)上存在的电压控制下进行传输。在主门接线端之下,闪存的Mosfet还有一个额外的栅极(GateLayer),这就是“浮”栅,这样的称呼是因为这一层被绝缘层包围,当浮栅被充电后,就可以响应主控栅的操作。存储单元的读取是通过给主控栅施加电压进行的,而浮栅上电位的存在或不存在就代表了Source和Drain之间的流动状态,并对应了保存的信息。浮栅的充电是通过主控栅应用较高电压实现的,这会导致Source和Drain之间的电流发生变化,这样就可以通过一种叫做热电子注射(Hot-ElectronInjection)的方式为浮栅充电。如果需要擦除单元的内容,则需要给控制栅和Drain之间施加一个大的反向电压脉冲,这样会通过一种叫做量子隧穿(QuantumTunnelling)的过程将电子从浮栅中放出。另外还需要使用片上电荷泵(On-chipchargepump)产生对存储单元进行编程和擦除所需的电压。这样闪存芯片就可以在相当低的电压供应下工作。闪存技术是早期EEPROM(ElectricaflyEra8able,Programmable,Read-OnlyMemory,电可擦写可编程只读存储器)技术的改进版,这种技术的发明原本是为了更方便地在设备上包含不需要拆除芯片即可更新的固件信息。EEPROM技术只能支持偶尔进行的写循环,而且速度非常慢,但从“闪存”的名称即可看出,该技术具有更快的读写速度,并且可以进行更多次数的写循环。闪存速度快的主要原因是,闪存的编程周期可以影响整个内存块,而不像EEPROM那样只能影响特定的字节。闪存是由东芝公司的FujioMasuoka在19