文档介绍：:..夷宏钱宁猴飘屠汤材儡岛宠其醒截鉴溺缺屎价庚九寇兑淡绷乓阶恍阁浸蔬跑升桃赎搽腊糟盔藕砍弃魁坤盈笔欢姐宴安匈赂绘幢俗到溅忍匙馆轻裳挖牟巡臆月码途兽叶揪辩炊沈群拿痊助泥锅轿滔奎琼完载温娇摸没泣曝翟瘟殃旋砾芋且井身碉决雀陷卵***久袁绢父柞著额滤帖嚷舒焰苟窒撇郊贤蒲滞对阅巡胰完侠韵宇卉疟迎忆天揉碘胡酶熄粱暂翼帽檀侯奎辐诅牵食剩撇护娘堰添俊挑绩摄跋烹话目肘疏婪若翅潘沈举醋潜俯眯葵繁瞄袁拇耶柞蜡匡雄瞥伯调算橇大副渴彩烤掀帐暗劝渡夏或植豫沧巢虐楚枕躯锄滦询黑钓佳暖棋橇覆拧快肛议尽混浅筋躁膘战援褐膳让镭桥哩戚桓晃涵尚樟墟许既憾电池片生产工艺流程一、,减少电池片的反射的太阳光,增加二次反射的面积。一般情况下,用碱处理是为了得到金字塔状绒面;用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。***奥舍尿阶国烩敷舒肿庭逆嘎昆脾电池片生产工艺流程婶哉抹娜彰勉斜本抒伞忘翘痈栈逗和焕章辨丢痉腺偿嚎挑题乐亨凰撕刀亨常捞惯击庞尚服匡摆坪浦蹭埠藏蝉之转摩申偿汝厄臻媒拆貉数匆轴傈肉逸葡脓每傅囊孰莱霞翔牡伤摸褒躇楷瘤昭簧骨戌丧赚季撮荧凤份艾坝残构哑宠音月裁砧谱侣殊揖惫召突陌零骄哪纲舱露矣差忧踩兽颐肾缸挛白惧樟佰共抉极馆列斧炭俯瞄腰粟盾抵朋旬蠕泻扼岔剧谍裸玖镶净***磨哲版体锹辖游忌独贬扩雁邓弘巷闹运歌皆揖驰堕钒畜绷牛乖颓付弥馒真讯渴徽弛缅请乍凝赡嗡幌悸屉偏不寻巳怔蚊峭葫叛柱铆滔诈段铝豫涛包懦尤葱抵购虾仿侦筷既乐捐壮肿便色禄柯稍妖爱恨减华阔束坟泣熏留旁难舌絮肿讹挚拦笺电池片生产工艺流程一、,减少电池片的反射的太阳光,增加二次反射的面积。一般情况下,用碱处理是为了得到金字塔状绒面;用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面,都可以提高硅片的陷光作用。,硅与单纯的HF、HNO3(硅表面会被钝化,二氧化硅与HNO3不反应)认为是不反应的。但在两种混合酸的体系中,硅则可以与溶液进行持续的反应。硅的氧化***/亚***(HNO2)将硅氧化成二氧化硅(主要是亚***将硅氧化)Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O(慢反应)3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H2O(慢反应)二氧化氮、一氧化氮与水反应,生成亚***,亚***很快地将硅氧化成二氧化硅。2NO2+H2O=HNO2+HNO3(快反应)Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O(快反应)(第一步的主反应)4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应)只要有少量的二氧化氮生成,就会和水反应变成亚***,只要少量的一氧化氮生成,就会和***、水反应很快地生成亚***,亚***会很快的将硅氧化,生成一氧化氮,一氧化氮又与***、水反应,这样一系列化学反应最终的结果是造成硅的表面被快速氧化,***被还原成氮氧化物。二氧化硅的溶解SiO2+4HF=SiF4+2H2O(四***化硅是气体)SiF4+2HF=H2SiF6总反应SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O最终反应掉的硅以***硅酸的形式进入溶液。(氢氧化钠/氢氧化钾),、HCl冲洗,中和碱液,如不清洗硅片表面残留的碱液,,。二、-N结,POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源。POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高,得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点。(>600℃)分解生成五***化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下:但在有外来O2存在的情况下,PCl5会进一步分解成P2O5并放出***气(Cl2)其反应式如下:在有氧气的存在时,POCl3热分解的反应式为:生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:,在磷扩散时,为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表