微电子器件课件微电子器件32章节.ppt

文档介绍：(1)基区必须很薄,即WB<<LB。可利用基区输运系数对其进行定量分析;要使晶体管区别于两个反向串联的二极管而具有放大作用,晶体管在结构上必须满足下面两个基本条件:(2)发射区杂质总量远大于基区杂质总量,当WE与WB接近时,即要求NE>>NB。可利用发射结注入效率对其进行定量分析。本节推导均匀基区PNP管的电流放大系数。定义:基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比,称为基区输运系数,记为。对于PNP管,为由于少子空穴在基区的复合,使JpC<JpE,。<<LB,,可得以下用pB代表基区非平衡少子浓度pn。这里必须采用薄基区二极管的精确结果,即pB(0)x0WB近似式,忽略基区复合精确式,考虑基区复合pB(x)再利用近似公式(x很小时),得根据基区输运系数的定义,得式中,即代表了少子在基区中的复合引起的电流亏损所占的比例。要减少亏损,应使WB↓,LB↑。静态下的空穴电荷控制方程为下面再利用电荷控制法来求。另一方面,由薄基区二极管的近似公式,从上式可解出,代入Jpr中,得::少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均时间,称为少子的基区渡越时间,记为b。可以设想,在b期间,基区内的少子全部更新一遍,因此的物理意义:时间,代表少子在单位时间内的复合几率,因而就代表少子在基区停留期间被复合的几率,而则代表未复合掉的比例,也即到达集电结的少子电流与注入基区的少子电流之比。b代表少子在基区停留的平均注意b与:从发射区注入基区的少子形成的电流与总的发射极电流之比,称为注入效率(或发射效率),记为。对于PNP管,为