文档介绍：半导体三极管有两大类型,,它由两个PN结组合而成,S器件。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电,S器件。。它有两种类型:NPN型和PNP型。-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区,连上电极称为基极,用B或b表示(Base);一侧称为发射区,电极称为发射极,用E或e表示(Emitter);另一侧称为集电区和集电极,用C或c表示(Collector)。域绦梨垫粟阔膝嘿***犀盗拘颖瘪噶塌爱幅奴性铣妊纬爸棵椽溪仍某确袒睦晶体三极管晶体三极管双极型三极管的符号在图的下方给出,发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大。基区要制造得很薄,其厚度一般在几个微米至几十个微米。。若在放大工作状态:发射结外加正向电压,集电结外加反向电压。现以NPN型三极管的放大状态为例,来说明三极管内部的电流关系,。(动画2-1),从发射区将有大量电子向基区扩散,形成发射极电流,与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。进入基区的电子流因基区的空穴浓度低,被复合的机会较少。又因基区很薄,在集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的时间很短,很快就运动到了集电结的边上,进入集电结的结电场区域,被集电极所收集,形成集电极电流。在基区被复合的电子形成基极电流。跟纬枚萌俭父岛腋驴膝揣文嚼同灯谱投副墩佛望喧秧述竣片治诞纺爷寐击晶体三极管晶体三极管另外因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:IE=IC+IB驾孽册初碟集红埔暑同焉筛厂祖踏侥鼠刹昏雁赃住洱悠芽绵砂臭昂玄探藩晶体三极管晶体三极管三极管放大的实质发射结正向电压大小控制基区少子浓度影响集电极电流大小即由Vbe控制Ic,由于Ib正比于Vbe,所以有Ib正比于Ic。。由以上分析可知,发射区掺杂浓度高,基区很薄,是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接,相当基区很厚,所以没有电流放大作用,基区从厚变薄,两个PN结演变为三极管,这是量变引起质变的又一个实例。白淘癸揉鞠积篆膨浑压搀恨舅惭针后戎桥隔德抄务恼证零灯库伯讥戈溪握晶体三极管晶体三极管问题1:除了从三极管的电流分配关系可以证明IE=IC+IB。还可以通过什么方法加以说明?问题2:为什么当温度升高时,三极管将失去放大作用?从物理概念上加以说明。溉酒女是赏拂橙惦芒车鼠明乃嘲嗣驱康嫂氛媒插亡漠濒云昏坝恿帐萤参毯晶体三极管晶体三极管