文档介绍：摘要应在工业上具有很大的应用背景,如信息存储领域中的磁记录,磁头和传感器等方面的应用。然而,这些应用主要是基于薄膜的特性。从基础研究上来讲,这些道有序,相分离,洌ń换荒P鸵约案髦窒嗷プ饔弥涞鸟詈希而且为全氧化物或氧化物一金属原型薄膜器件的研制提供了有效途径。讨了锰氧化物外延膜的结构畸变与磁性和输运性质的关系,特别是不同氧压与超薄薄膜的结构与输运性质的关系,晶格失配应变与厚度效应等进行了深入的探及影响锰氧化物薄膜结构和电磁性质的相关因素以及在制备薄膜时需要注意的颖∧∧さ奈⒔峁辜暗绱判阅艿挠跋臁Mü芯坎煌氧含量与外延膜的厚度效应的关系,指出超薄薄膜的结构和电阻/磁转变主要依赖于不同氧压;而对于较厚的薄膜,其结构和电磁性既受氧压也受后处理过程控制,这是由于较厚的膜薄中出现了柱界,柱界在后处理过程中吸附氧原子造成的。因此,为了制备高质量的巨磁阻超薄薄膜,需要高的制备氧压。另外,退火温度第三章研究了晶格失配应变引起的晶格畸变对甌延膜的结构和电磁性质的影响。实验研究指出薄膜的应变状态直接地影响薄膜的输运行为。对共格外延的薄膜,其结构和电磁性质主要依赖于晶格失配应变自从二十世纪九十年代发现钙钛矿结构的锰氧化物具有巨磁电阻效应以来,钙钛矿结构的锰氧化物的巨磁电阻效应成为了人们关注的热点。由于巨磁电阻效锰氧化物表现出丰富的物理内容,如顺磁一铁磁相变伴随绝缘一金属相变,电荷轨这些复杂的现象激发了物理学研究人员的研究兴趣。更重要的是,从应用研究上来讲,对巨磁阻薄膜的研究和探索,不仅对当前的自旋电子学的应用有重要意义,本论文通过对钙钛矿锰氧化物外延膜的氧含量、应力与厚度效应的研究,探讨。下面是整个论文的主要内容菜恼。第一章全面介绍了巨磁阻锰氧化物的物理和薄膜的研究状况。首先回顾了锰氧化物的各种性质,如晶体结构,电子结构,双交换模型,电荷有序,输运性与巨磁效应,相分离,掺杂效应等。最后讨论了锰氧化物外延薄膜的制备方法,问题。第二章以对对薄膜的微结构和电磁性能也有一定的影响。
关键词:钙钛矿锰氧化物,外延薄膜,晶格失配应变,厚度效应和薄膜厚度。薄膜与衬底的晶格失配越大,发生晶格驰豫的厚度越小,且随着膜厚的增加,金属一绝缘体转变温度乃更快的趋近于单晶块材的昂。因此,为制备高性能的巨磁阻薄膜,晶格失配必须被考虑。第四章以外延薄膜为研究对象,研究了不同厚度的外延膜引起的外延膜电阻率的变化。,具有与衬底相同的晶格取向;格经历应变到驰豫的变化。电阻测量显示,应变驰豫的薄膜虾竦谋∧有较沉积到立方相的岛ゾС牡咨希琗测试结果显示,外延膜的结随着膜厚的增加,外延膜的晶大的电阻率,这与该膜中缺陷浓度增加有关。此外,也对生长在不同单晶衬底上的外延膜穸认嗤的结构和电阻进行了对比研究。钙铁矿结构锰氧化物薄膜的制备及物件研究
百、恤笛甌·.,—瓵,,—;,.琧,篢籦籬,甮、Ⅳ.琩瑆猼珊
:—琩—.—瓼ⅱ鬷,琹·琑
”纠听学位论文作者签名:多彰学位论文版权使用授权书独创性声明壶粥年辉侣咳签字日期:乒。。昶乖乎日本人声明所里交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得或其他教育机才与的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。本学位论文作者完全了解有关保留、使用学位论文的规定有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄊ学位论文作者签名签字日期:誅暾学位论文作者毕业去向:工作单位:签字日期邮编借阅。本人授权通讯地址:导师签名电话,,
第一章钙钛矿锰酸盐物理、薄膜的研究进展研究钙钛矿氧化物薄膜的重要意义钙钛矿氧化物理想配比的化学式可表示为,其基本单元是具有面心立导材料,以为代表的铁电材料,以及以二价碱土金属离子掺杂的为代表的超大巨磁电阻材料。它们所表现出的物理性能不仅对许多基础物理的研究提出了挑战,更为重要的是它们为更好地制造开发具有重大应用价值的器件提们的制造工艺不同,薄膜材料的制备是采用特殊的成膜技术,如物理或化学气相沉积,溶胶一凝胶,磁控溅射,脉冲激光沉积等方法。而相应的块材料则是采用是超大巨磁阻材料,实现在电子器件中应用的基础是要将这些材料制备成薄膜。只有制备出各种优质的薄膜,才能实现材料性能的优化和多种功能材料的集成,最终使薄膜电子学发生一个根本的变革。任何一种新的功能材料出现时,在