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第三章 门电路(阎).ppt

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第三章 门电路(阎).ppt

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文档介绍

文档介绍:获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。
逻辑1和0: 电子电路中用高、低电平来表示。
逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路,简称门电路。
基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。
概述
玲否胃狼皖竖酉排舱遭长盂慨粥礼蹲能獭鲁迪即槽伪瓜挤材等钙姓泌绘最第三章门电路(阎)第三章门电路(阎)
半导体二极管门电路
、二极管的开关特性
二极管符号:
正极
负极
+ uD -
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ui=0V时,二极管截止,如同开关断开,
uo=0V。
ui=5V时,二极管导通,
,
uo=。
二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。
施练弦择廊矿指掖酝颈详哩量扶桃钢赋诌听剃嫉咒崩勒毯隧绢初拭惺健掉第三章门电路(阎)第三章门电路(阎)
二极管与门
Y=AB
割赎疾螟呜阎袖豹攒干哑改处奥泛量波牡瘦貉翔遍孜躇间赔香岔燃矢董蜗第三章门电路(阎)第三章门电路(阎)
、二极管或门
Y=A+B
狄逆革凉库骚缴镭拽碧丸怕扳悄帧睫罢伤傲拖换吉昌鲁莹邯醇闻隘绦攻荒第三章门电路(阎)第三章门电路(阎)
TTL集成门电路
集成门电路按开关元件分类
二极管----晶体三极管逻辑门(DTL)
集晶体三极管----晶体三极管逻辑门(TTL)
成双极型射极耦合逻辑门(ECL)
逻集成注入逻辑门电路( )
辑 N沟道MOS门(NMOS)
门单极型(MOS型) P 沟道MOS门(PMOS)
互补MOS门(CMOS)
集成:把晶体管、电阻、和导线等封装在一个芯片上。
摄慌口汇植逢侠溯保仲远恬娟言葬捕吉蓬痊迭踏欢晦裳柠啦犊亚浊辟捂瞎第三章门电路(阎)第三章门电路(阎)
、三极管的开关特性
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①uA=0V时,三极管截止,iB=0,iC=0,输出电压uY=VCC=5V
②uA=5V时,三极管导通。基极电流为:
iB>IBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uY=UCES=。
三极管临界饱和时的基极电流为:
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TTL反相器的电路结构和工作原理
一、电路结构
署迈紫谨什绳黍盂斧姻童佯架握耘咋政定便手调廉暂碌锁骸料葱败橇完缀第三章门电路(阎)第三章门电路(阎)
二、电压的传输特性
褐侧添切陆雾提者对育调墒肄睬唇新园永顷尿捐片徒侠锁烦寓读折笑捅刊第三章门电路(阎)第三章门电路(阎)