文档介绍：第19章俄歇电子能谱分析

俄歇电子的发现可以追溯到1925年,1953年开始研究俄歇电子能谱,直到1967采用了微分方式,才开始出现了商业化的俄歇电子能谱仪,并发展成为一种研究固体表面成分的分析技术。由俄歇电子的信号非常弱,二次电子的背景又很高,再加上积分谱的俄歇峰又比较宽,其信号基本被二次电子的背底所掩盖。因此,刚开始商业化的俄歇电子能谱仪均采用锁相放大器,记录微分信号。该技术可以大大提高俄歇电子能谱的信背比。随着电子技术和计算机技术的发展,现在的俄歇电子能谱已不再采用锁相模拟微分技术,直接采用计算机采集积分谱,然后再通过扣背底或数字微分的方法提高俄歇电子能谱的信背比。扫描俄歇电子微探针谱仪也发展到可以进行样品表面扫描分析,大大增加了微区分析能力。
与X射线光电子能谱(XPS)一样,俄歇电子能谱(AES)也可以分析除氢氦以外的所有元素。现已发展成为表面元素定性、半定量分析、元素深度分布分析和微区分析的重要手段。三十多年的来,俄歇电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。俄歇电子能谱的应用领域已不再局限于传统的金属和合金,而扩展到现代迅猛发展的纳米薄膜技术和微电子技术,并大力推动了这些新兴学科的发展。目前AES分析技术已发展成为一种最主要的表面分析工具。在俄歇电子能谱仪的技术方面也取得了巨大的进展。在真空系统方面已淘汰了会产生油污染的油扩散泵系统,而采用基本无有机物污染的分子泵和离子泵系统,分析室的极限真空也从10-8Pa提高到10-9Pa量级。在电子束激发源方面,已完全淘汰了钨灯丝,发展到使用六硼化铼灯丝和肖特基场发射电子源,使得电子束的亮度,能量分辨率和空间分辨率都有了大幅度的提高。现在电子束的最小束斑直径可以达到20nm,使得AES的微区分析能力和图象分辨率都得到了很大的提高。
AES具有很高的表面灵敏度,其检测极限约为10-3原子单层,其采样深度为1~2nm,比XPS还要浅。更适合于表面元素定性和定量分析,同样也可以应用于表面元素化学价态的研究。配合离子束剥离技术,AES还具有很强的深度分析和界面分析能力。其深度分析的速度比XPS的要快得多,深度分析的深度分辨率也比XPS的深度分析高得多。常用来进行薄膜材料的深度剖析和界面分析。此外,AES还可以用来进行微区分析,且由于电子束束斑非常小,具有很高的空间分别率。可以进行扫描和微区上进行元素的选点分析,线扫描分析和面分布分析。因此,AES方法在材料,机械,微电子等领域具有广泛的应用,尤其是纳米薄膜材料领域。
方法原理
俄歇电子能谱的原理比较复杂,涉及到原子轨道上三个电子的跃迁过程。当X射线或电子束激发出原子内层电子后,在原子的内层轨道上产生一个空穴,形成了激发态正离子。在这激发态离子的退激发过程中,外层轨道的电子可以向该空穴跃迁并释放出能量,而这种释放出的能量又激发了同一轨道层或更外层轨道的电子被电离,并逃离样品表面,这种出射电子就是俄歇电子。。

俄歇过程产生的俄歇电子峰可以用它激发过程中涉及的三个电子轨道符号来标记,。从俄歇电子能谱的理论可知,俄歇电子的动能只与元素激发过程中涉及的原子轨道的能量及谱仪的功函有关,而与激发源的种类和能量无关。KLL俄歇过程所产生的俄歇电子能量可以用下面的方程表示:
EKLL (Z)= EK(Z) - EL1(Z) - EL2(Z+D) - fs ()
式中 EKLL(Z) --原子序数为Z的原子的KLL跃迁过程的俄歇电子的动能, eV;
EK(Z) -- 内层K轨道能级的电离能, eV;
EL1(Z) -- 外层L1轨道能级的电离能,eV;
EL2(Z+D) -- 双重电离态的L2轨道能级的电离能,eV;
fs -- 谱仪的功函, eV。
在俄歇激发过程中,一般采用较高能量的电子束作为激发源。在常规分析时,为了减少电子束对样品的损伤,电子束的加速电压一般采用3KV或5KV,在进行高空间分辨率微区分析时,也常用10KV以上的加速电压。原则上,电子束的加速电压越低,俄歇电子能谱的能量分辨率越好。反之,电子束的加速电压越高,俄歇电子能谱的空间分辨率越好。由于一次电子束的能量远高于原子内层轨道的能量,一束电子束可以激发出原子芯能级上的多个内层轨道电子,再加上退激发过程中还涉及到两个次外层轨道。因此,会产生多种俄歇跃迁过程,并在俄歇电子能谱图上产生多组俄歇峰,尤其是对原子序数较高的元素,俄歇峰的数目更多,使得定性分析变得非常复杂。由于俄歇电子的能量仅与原子本身的轨道能级有关,与入射电子的能量无关,也就是说与激发源无关。对于特定的元素及特定的俄歇跃迁过程,其俄