文档介绍：摘要由于牧暇哂薪矶却蟆⒒鞔┏∏扛摺⒌缱颖ズ退俣雀摺⒖狗淠芰很大的进步,但仍然存在着许多制约因素限制了其性能的提升和应用发展。其中迫切需解决的问题。针对牧先韧嘶鸬难芯浚疚牟捎肏骷票腹中的快速热退火过程,预测热退火对鵋骷挠跋臁U攵訥材料腐蚀坑特性的研究,,分析后确定了不同的腐蚀坑与不同位错的对应关系,并通过其蚊餐己偷缌本文首先重点研究热退火对疓异质结材料特性的影响。同时为了对照,对非故意掺杂的⒉鬝腉也进行相同条件的退火处理,然后分析退应变松弛以及牧暇Ц癯J齝变大,使得评莶阒械募ɑ慷认魅酰从而使界面处束缚电荷的面密度降低,导致的浓度下降;退火还造成了异质结中的迁移率下降,本文认为这可能是退火在势垒层引入了新缺陷,并接着,本文对牧细纯拥奶匦越辛松钊氲难芯俊Mü廴诘腒腐蚀狦和瓽材料后,经过蚐分析,我们发现了三种不同的腐蚀坑【,,丫⑼ü欢ǖ母椿平欠直鹩氪咳形淮恚柯菸淮砗突旌衔错相对应,本文还给出了三种腐蚀坑的三维示意图。最后,本文对腐蚀后的牧辖辛说嫉鏏分析研究,发现了不同类型的诒碚鞴坛鱿至私洗蟮牟钜臁M北疚囊卜⑾至瞬煌嘈偷母纯拥导电能力有所差异,而且同一腐蚀坑内的不同区域也存在导电能力的差异。而且本文提出了一个导电新模型—原子导电模型:对旁轴面来说,因为和娌黄行,所以沿着旁轴面会含有一定量的樱贕样片中,相比于妫捎咏洗蟮牡缱忧缀湍芸梢允古灾崦娴男ぬ鼗评萁档停峁古灾崦娴牡缌信号增加,这样就使得旁轴面的导电能力都明显高于妗关键词:湿法腐蚀腐蚀坑强和化学稳定性好等优越的性质,因此疓器件成了制作微波大功率器件的理想继任者。。通过退火前后的、和,以及方阻的数据,我们认为退火造成了疓异质结中虯材料的且退火使得牧现腥形淮砻芏壬仙蛘呤峭嘶鸬贾略亓髯臃⑸瞬钩サ纫蛩造成的,而这些变化都会影响鵋骷男阅堋疓异质结热退火
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日期:丝包关于使用授权的声明创新性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。C艿穆畚脑解密后遵守此规定本人签名:
第一章绪论熘式岵牧系难芯拷进步的基础。它作为现代人类文明的三大支柱之一,和信息技术、能源技术处于同等的重要地位。国民经济与国防建设的各个部门和各领域的发展都不可避免地认为:材料领域的进展几乎可以显著改善国民经济所有部门的产品性能,提高它们竞争的能力,因此把材料列为六大关键技术的首位。我国《国家中长期科学和技术发展规划纲要》确定未来年力争取得突破的十六个重大科技专项中,有将近一半都与新材料及其制备技术相关。实际上,新材料的发展水平已成为衡量一个国家科技水平和综合国力的重要标志。年晶体管的发明使人们从电子管时代进入到晶体管的时代,这有力地推动了半导体材料的发展,促进了集成电路的产生。首先,第一代半导体材料硅与锗得到人们广泛的开发和研究,它不仅被用于制造各种半导体电子、光电器件和集成电路中,而且也成为了近年来热门研究的太阳能电池的主要原材料之一。由于是问接带隙半导体,发光效率低,限制了其在光电领域的应用,而大多数猇族化合物半导体具有直接带隙结构,能够在光电领域发挥出巨大作用,目前、铟镓***磷取A硗猓珿牡缱忧ㄒ坡屎芨撸荢倍多,是目前最主要的高速与超高速半导体器件所用的材料,几乎垄断了手机制造中功放器件的市场,人们称和然衔锇氲继逦5诙氲继宀牧稀I世纪年代左右,氮化镓∧さ纳ぜ际跞〉昧酥卮笸黄疲咧柿康腉材料被成功地生长,这推动了牧系难芯浚嗣侵鸾ト鲜兜紾材料具有许多优良的特性,从而在全球掀起了研究牧系娜瘸薄S捎贕材料具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度高、抗辐射能力强和化学稳定性好等优越的性质,非常适合制作微波大功率器件。同时,宓;锏;、偷化铝捌