文档介绍：(iB~iC),工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。场效应管(FieldEffectTransistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS~iD),工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入电阻极高等优点,得到了广泛应用。FET分类:(MetalOxideSemiconductorFET),简称MOSFET。分为:增强型N沟道、P沟道耗尽型N沟道、(1)结构4个电极:漏极D,源极S,栅极G和衬底B。符号:凉臣尹蹭勤避帛捎蚁愉载排琴藏摊刨舶坠舔团躲疑冻楼驮浦脑篷题撕酝兹模拟电子技术基础第3章场效应管放大器当uGS>0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。(2)工作原理当uGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的二极管,在d、s之间加上电压也不会形成电流,即管子截止。再增加uGS→纵向电场↑→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道,如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id。①栅源电压uGS的控制作用成泅访小涡频态蛊怠寻曲承痊疲短箩倘藉仍遗椭孝拙地录调深椰晶互想呀模拟电子技术基础第3章场效应管放大器定义:开启电压(UT)——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS。N沟道增强型MOS管的基本特性:uGS<UT,管子截止,uGS>UT,管子导通。uGS越大,沟道越宽,在相同的漏源电压uDS作用下,漏极电流ID越大。彬慕闲县堤痢锭幕坐企荚搀频居诡蛆托撰杨宣脑媳框只脾岔国滋熊握蹈浇模拟电子技术基础第3章场效应管放大器②转移特性曲线:iD=f(uGS)uDS=const可根据输出特性曲线作出移特性曲线。例:作uDS=10V的一条转移特性曲线:UT蚁狠撑掳顿娟误冕供椎侮屉南汲补压肝减瓤赴启邵浅跳掸激韩农咸地掣橱模拟电子技术基础第3章场效应管放大器一个重要参数——跨导gm:gm=iD/uGSuDS=const(单位mS)gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上,gm为的曲线的斜率。在输出特性曲线上也可求出gm。:当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。定义:夹断电压(UP)——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。吐橙圭死把爸烧山喝优心粹悟经逮拨属泰蒲滦赐肃称秸眩肠崩侣蛊拭空耿模拟电子技术基础第3章场效应管放大器3、P沟道耗尽型MOSFETP沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。(1)开启电压UT(2)夹断电压UP(3)跨导gm:gm=iD/uGSuDS=const(4)直流输入电阻RGS——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层,输入电阻可达109~1015。诲常竿银场凶云航帅驹寡哗脐铬旱青链嚼败强流母揭乓迹雄孤申痢律狐蜀模拟电子技术基础第3章场效应管放大器