霸三极管.ppt

文档介绍：半导体三极管和基本共射极放大电路的静态分析
半导体三极管的特性与识别
制作:浙江广厦建设职业技术学院
信息与控制工程学院
一、半导体三极管
(一)基本结构和类型
1、结构
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
P
N
P
集电极
基极
发射极
B
C
E
PNP型
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
基区:较薄,掺杂浓度低
集电区:面积较大
发射区:掺
杂浓度较高
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
发射结
集电结
2、类型
有PNP型和NPN型;硅管和锗管;大功率管和小功率管;高频管和低频管。
(二)电流放大原理
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
基区空穴向发射区的扩散可忽略。
IBE
进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。
发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。
ICBO
IC=ICE+ICBOICE
IBE
ICE
从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。
1、载流子传输过程发射、复合、收集
IB=IBE-ICBOIBE
IB
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
ICBO
ICE
IC=ICE+ICBO ICE
IBE
2、各极电流关系
ICE与IBE之比称为电流放大倍数
要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。
3、电流放大系数
B
E
C
IB
IE
IC
NPN型三极管
B
E
C
IB
IE
IC
PNP型三极管
(三) 特性曲线
IC
mA
A
V
V
UCE
UBE
RB
IB
EC
EB
实验线路