文档介绍:袀2010~2011学年第一学期《无机化学》参考答案(B)蚈供2010级01,02,(本题共20分,其中3小题每空2分,其余每空1分)莃1.[Kr]4d105s1;4d105s1;五;IB;ds。;方向性;升高;降低。(s)+8O2(g)=P4O10(s)+3SO2(g)∆rH=-;螄-·mol-(AgCl)/[(Ag2CrO4)];*1s2σ2s2σ*2s2π2py2π2pz2σ2px2;3。®2;ns2np1®6。(正确的在题前括号中画√,错误的画×。本题共10分)袈8.×;9.×;10.√;11.×;12.√;13.√;14.×;15.×;16.√;17.×。(每题有一个正确答案,单号小题1分,双号小题2分,本题共30分)薅18~22CDBCD23~27ACBBD28~BB33~(本题25分)(6分)肇芄螃蚀蝿莇sp螂Sp3肁Sp2***。减小;增大;增大;减小;。屏蔽效应——在研究多电子原子中,一个电子不仅受到原子核的引力,而且还要受到其它电子的排斥。把其他电子对指定电子的排斥力视为部分地抵消(或削弱)核电荷对该电子的吸引力,即其他电子起到了部分地屏蔽核电荷对某电子的作用力,而该电子只受到“有效核电荷”的作用,即:。称为屏蔽常数,体现了多电子体系中其他电子对指定电子的屏蔽作用。这种由其他电子对选定电子产生排斥作用的效果称为屏蔽效应。蚄钻穿效应——是指n相同,而L不同的轨道,由于电子半径径向分布不同,电子穿过内层到达核附近以回避其他电子屏蔽的能力不同,从而使其有不同能量的现象。或:由于电子的钻穿作用的不同而使它的能量发生变化的现象,,而角量子数不同的电子的钻穿作用是不同的。电子钻得最深,被内层电子屏蔽得最少,能量最低;电子能量稍高;电子能量最高。对单电子体系:;对于多电子体系,则。钻穿越深的电子对其他电子的屏蔽越大,使不同轨道上的电子能级发生变化,电子能量变得更低,,电子能量变大越高,从而引起能级上的交错,E4s<E3d。:(本题共15分)=