文档介绍：“半导体技术”2007年第32卷第1期技术论文“摘要”趋势与展望P1-MOSFET器件回顾与展望(下)P6-AlGaN/GaNHEMT欧姆接触的研究进展P12-用于光刻的EUV光源现代管理P17-300mm半导体代工厂的化学供应系统探讨器件制造与应用P21-CMOSLCVCO中交叉耦合MOS管的结构和特点P26-改进型抗单粒子效应D触发器P29-一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵P33-LDMOS射频功率放大器电热记忆效应研究工艺技术与材料P37-pH值对铌酸锂晶片抛光速率及抛光表面的影响P40-ICP刻蚀损伤对n-GaN-Ni/Au肖特基接触特性的影响P43-ICP刻蚀机反应腔室气流仿真研究P47-不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究集成电路设计与开发P52-一种基于DDS的改进信号合成电路设计P55-车载定位导航终端的设计P58-FPGA中通用互连结构的设计与优化P62--高性能双模前置分频器设计封装、测试与设备P68-TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析P74-D的光刻机调焦调平系统的研究P77-ESD电热模拟分析趋势与展望MOSFET器件回顾与展望(下)肖德元1,夏青2,陈国庆1((上海)有限公司存储器技术发展中心,上海201203;,上海201209)摘要:介绍了新颖的MOS器件结构及鳍状FET器件研究最新进展,比较了几种主要新颖半导体器件的特性,指出了MOSFET尺寸缩小所面临的巨大挑战及解决办法,展望了器件未来发展趋势。AlGaN/GaNHEMT欧姆接触的研究进展裴风丽1,2,冯震2,陈炳若1(,武汉430072;,石家庄050051)摘要:从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaNHEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。用于光刻的EUV光源赵环昱1,2,赵红卫1(,兰州730000;,北京100049)摘要:对国际上普遍采用的两种EUV光源:放电等离子体源(DPP)和激光等离子体源(LPP)进行了多方面比较。给出了两种等离子体源各自优点及难以克服的困难。基于目前的测量结果,指出了ECR等离子体有潜力成为一种新型的极紫外辐射源。紫外光刻使摩尔定律得以延续的信心。现代管理300mm半导体代工厂的化学供应系统探讨张云秀,黄其煜(上海交通大学微电子学院,上海200030)摘要:随着中国半导体业的发展,300mm半导体代工厂(foundry)在中国纷纷出现,本讨论介绍了300mm代工厂厂务化学系统的定义和分类、基本构成、安全设计和品质监控的要点,力图使读者对厂务化学系统有一个整体的了解,针对一些化学供应系统的常见问题和可改进之处,提出了改进建议。器件制造与应用CMOSLCVCO中交叉耦合MOS管的结构和特点宁彦卿,王志华,陈弘毅(清华大学微电子学研究所,北京100084)摘要:在近年来的文献报道中,CMOSLCVCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,