文档介绍：第一章一、填空:1、在本征半导体中掺入三价元素即成P型半导体,掺入五价元素即成N型半导体。2、某三极管的电流值:IB=20mA时IC=2mA、IB=80mA时IC=8mA,该管的b=100。场效应管的输入电阻比晶体三极管(BJT)的输入电阻大(大/小)。3、三极管能起放大作用的内部条件是:基区掺杂质浓度比发射区杂质浓度低(低/高),基区宽度窄(宽/窄),集电结面积比发射结面积大(大/小/相等)。4、电路如图1所示,二极管D1、D2为同一型号的理想元件,电位VA=1V,VB=3V,。5、电路如图2,图中LR是红灯、LG是绿灯、vS为频率较高的交流电源。开关S扳至1位置,则LG灯亮,开关S扳至2位置,则LR、LG灯亮,开关S扳至3位置,则LR灯亮。图1图2二、选择题:1、某二极管的反向饱和电流在温度为20时是2μA,则当温度是60时其反向饱和电流为(D)。、则a管是(A)、则b管是(D)(a)(b)、下列四个电路元件符号中,表示P沟道增强型FET的是(C)。5、某发光二极管用作通电指示,其流过的电流I必须:5mA<I<15mA,正向压降约2V,则下列接法及限流电阻取值均正确的是(B)。第二章一、填空题1、共射、共集、共基三种放大电路中,同时具有电流和电压放大倍数的是共射电路;输入电阻最大的是共集电路;高频特性最好的是共基电路。2、在下图所示电路中,当Ce断开时,下列参数的变化趋势:将减小,Ri将增大。二、选择题1、对于共集电极放大电路,下列说法正确的是(A)输入电阻高,AU小于1输入电阻小,AU小于1输出电阻高,AU小于1输出电阻高,AU>>12、下列四个电路中,不可能工作于放大状态的是(C)3、如图所示的复合管,设T1及T2管的β值分别为β1和β2,则其复合管的β为(D)。=β1+==≈β1β2T114、如图所示的输出特性曲线、负载线图解中,静态工作点Q1~Q4中最易引起截止失真的是(A)。、分析及计算题:1、如图所示的电路,晶体管β=100,rbb’=100Ω,UBE=,C1,C2,Ce均足够大,试计算电路的静态工作点,画出交流微变等效电路并求Au,Ri,Ro。解:静态工作点:微变等效电路如下:第三、四、五章一、填空1、采用电容耦合的多级放大电路不能放大直流(直流/交流)信号。2、集成运放内部采用电流源电路来做偏置电路和负载,大大提高了电路性能。3、在双端输入、输出的理想差分放大电路中,若两输入电压Vi1=Vi2,则输出电压Vo=0,若Vi1=+1500μV,Vi2=+500μV,则可知差动放大电路的输入差值电压Vid=1000μV。4、某放大电路的对数幅频特性如下图所示,则:(1)此放大电路的通频带为(100000-100)Hz;(2)在fL处附加相移是+45度,在fH处附加相移是-45度?5、某放大电路的对数幅频特性如上图所示,试求:(1)中频电压放大倍数=100倍;(2)实际上在fL和fH处仅为37dB。6、在如图所示的典型差分放大电路中,为了提高共模抑制比,通常用电流源电路代替Re。二、选择题1、集成运放内部电路常采用互补对称电路来作输出级,是因为这种电路(B)。,、某放大器由两个相同的放大电路组成,若每个放大电路的通频带均为15KHz,则此放大器的总通频带为(D)。、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B) 、放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(A)、在电路中,引起交越失真的原因是(D) 、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路,这是因为它的(C)、某三级放大电路,电压放大倍数分别为50、20、10,则电路的电压总增益为(D)。、对理想集成运算放大器,下列说法正确的是(A)A