文档介绍：电子科技大学硕士学位论文PHEMT MMIC宽带单片功率放大器设计研究姓名:罗小勇申请学位级别:硕士专业:光学指导教师:梁正20050116电子科技大学硕士学位论文摘要随着微波通信技术的发展,人们对通信系统的要求越来越高,比如小型化、可靠性等,微波单片集成电路(MMIC)凭借小型紧凑、稳定性好、抗干扰能力强、批量生产成本低和产品性能一致性好等特点成为军事电子对抗及民用通信系统最具吸引力的选择。赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有增益、噪声、功率方面更加良好的特性,成为微波与毫米波单片集成电路和超高速数字集成电路领域最县竞争力的有源器件之一,当前,PHEMTMMIC研究已经成为MMIC研究的一大热点。作为系统的重要组成部分,MMIC功率放大器在电子对抗、通信、相控阵雷达等领域具有广泛的应用价值,本文重点报导了‘'PHEMTMMIC宽带单片功率放大器设计研究”工作,具体的研究内容摘要如下:、国内外研究动态及应用,陈述了MMIC相对于微波混合集成电路(MIC)的优势、前景及挑战,并对MMIC的设计技术特点进行了简述。,明确了小信号、大信号模型参数的提取及模型建立。认识了PHEMT有源器件工作特性、模型参数表征及器件模型的建立,简单介绍了MMIC工艺流程。3尉PHEMTMMIC宽带单片功率放大器的特点、主要性能参数和设计技术进行了研究,并给出了两级MMIC功率放大器的设计方法。“mPHEMT低噪声工艺模型实现了一个6~20GHz宽带单片中等功率放大器的仿真设计。设计好的MMIC功率放大器共两级,第一级PHEMT栅宽为6×30口m,第二级PHEMT为6×70,um,。放大器两级均采用3矿漏极单电压自偏置负反馈A类工作方式,以获得最小的线性失真和最优化的输出功率。在6~20GHz工作频带内,,,,输入电压驻波比≤17,输出电压驻波比≤2,20GHz频率下ldB压缩输出功率达到182dBm。仿真结果表明,论文提出的设计方法简单可行,实现了预期的设计指标要求。关键词微波单片集成电路、赝配高电子迁移率晶体管、中等功率放大器、负反馈、municationtechnology,municationsystemaremoreandmorehigher,,lightquality,capability,reliabilityandcheapinlargequantities,MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)isthebestchoiceofElectronicWarfare(EW)’powerconsumptionandnoise,petitionsinthefieldsofmicro—millimeterwavemonolithicintegratedcircuitsandsuper-,:—signalandlarge—signalmodelparameterextractionmethodforPHEMTmodelarepresentedinthepaper,,andadesignapproachoftwo—