文档介绍：霉缒狄孽硕士学位论文名研究方向完成时间低压低功耗的分析与设计竛姓学科专业指导教师丁浩电路与系统集成电路设计与制备陈军宁教授柯导明教授年学校代码学号:
要摘术的改进,傻缏菲骷峁沟纳杓埔彩鞘迪旨傻缏返脱沟凸牡闹匾R须采取有效措施抑制上述物理效应,解决低压和高速之间的矛盾。可以有效抑制短沟道效应,降低阈值的漂移,还具有高开关比、从表面势模型、阈值电压模型的建模、漏电流模型的建各项性能的需要,介绍了几种常用结构的特点和在低压低功耗设计中的应压解析模型。模型计算结果与国际通用的二维器件数值模拟软件的模拟结果吻合很好,同时模拟了结构参数对阙值电压的影响。本章最后分析了沟道掺杂浓度具有分段均匀的特点,分段求解了反型层低压低功耗傻缏肥前氲继寮傻缏返姆⒄狗较颍说缏飞杓萍素。体硅骷卣鞒叽缢跣≈脸钛俏⒚滓院螅菇媪俣坦档佬вΦ挠响,如热载流子效应、效应以及器件穿通等。所以,用于低功耗的器件必亚阈值电流小和功耗低等优点,这些特点都可以很好地改善因器件尺寸减小而出现的问题,是低压、低功耗、高集成度电路的优选结构之一。但要充分发挥结构的优势和潜力,无论在器件建模和数值模拟上都有很多工作要做。本论文针对模、击穿特性等几个方面进行了分析和研究。本文首先分析了低压低功耗器件的设计要求以及超深亚微米骷媪的挑战。目前,结构广泛应用于低压低功耗设计中,为了满足小尺寸器件用,对的工艺也进行了描述。接着引用常规短沟道器件的表面势模型,根据沟道掺杂浓度分布的特点,把沟道区分为三个部分,通过求解三个部分的二维泊松方程,得到最小表面势的表达式。根据经典强反型判据,建立了基于器件物理的阈值电结构对抑制阈值电压跌落的影响,采用了文献中的模拟结果对分析的情况进行了论证。针对电荷密度。在载流子连续性方程的基础上,建立了强反型漏电流模型和亚闽值电流模型。模型中对迁移率降低效应和速度饱和效应进行了特别的考虑。上述模型计算结果与的数值模拟结果进行了对比,两者吻合很搦要
————一堡堡堡些堑婪堕坌堑兰垦生本文最后以二维器件数值软件为工具,模拟和对比了盯、稭氤9嫫骷幕鞔┨匦浴8萜骷鞔┦惫档赖绯〉姆植主要是由于强电场引起的碰撞电离,产生大量高能量电子导致的。利用模拟结本文在分析器件击穿特性时,提出了直流电阻与漏电压之间的关系来判断总之,本文对∞的阈值电压模型、漏电流模型和击穿特性进行了较为系统的研究。所建的模型经过数值模拟的验证,对于煊虻好捎肕狗直鹉D夂头治隽薍与常规器件的输出特性,从模拟结果可以看出,与常规器件相比,具有较强驱动电流和较小亚阈值电流的特性,十分符合低压低功耗器件设计的要求。曲线,分析了结构的击穿电压高于其他器件击穿电压的物理机理,建立了的击穿电压模型。由于是薄栅氧化层器件,本文对栅电流与栅电压之间的关系也进行了模拟,分析了栅氧化层的击穿机理,讨论了栅氧化层击穿果来设计器件最佳的栅氧化层的厚度。器件是否击穿。当器件击穿时,电流迅速上升,所以它的直流电阻值也将迅速下降。根据数值模拟的器件击穿特性曲线,把直流电阻的峰值点所对应的漏电压为击穿电压,这样就为求得击穿电压的具体值提供了判据,代替以往依靠经验来判断击穿电压具体值的方法,减小了判断的主观性。器件建模以及结构的物理特性研究具有很好的理论和实践意义。关键词:低压低功耗、、阅值电压、击穿特性
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、使用学位论文的规定,他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得蜜徽式崴其他教育机构签字日期:∥,歹年钿户歹日签字日期:力哆年岁碉≯死灯年隆叭学位论文作者签名:丁殇丁鸦本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄊ学位论文作者签名::工作单位:学位论文作者毕业去向:电话:通讯地址:邮编:
第一章引言小压倍。晶体管的发明引起了人类历史上一次新的技术革命,使人类继石器时代、尺寸已经进入了超深亚微米量级,与长沟道器件相比,器件结构和器件模型都青铜器时代、铁器时代之后,进入了一个新的时代,即硅