文档介绍：东南大学
硕士学位论文
PDP行驱动芯片用200V PLDMOS设计
姓名:孙智林
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:吴建辉
20050414
摘要等离子平板显示器魑P乱淮允酒骶哂泄憷ǖ挠τ们熬埃湫星酒捎谀脱挂G蠼螷高、频率较快,成为募父龊诵募际踔弧6星酒杓频哪训闶枪β器件的设计。高耐雕功率器件工艺复杂,很难与标准低压工艺兼容,这也是其成本居高不下的一个重要原因。因此设计出功能满足要求、与标准低压工艺兼容、面积节省的功率器件具有重要意义。云淠脱垢摺⑺俣瓤斓扔诺而被大多星酒捎谩1疚纳杓屏艘桓行驱动芯片专用的高低压兼容。首先绪论中介绍了产生的历史过程及原理;然后在第一章中分别对的场板、漂移区、沟遂等部分的参数进行了数学建模,计算得到各个参数的近似值:在第二章中通过砑D馄骷ひ展獭软件模拟器件特性来对第一章中得到的器件各个参数进行了优化:第三章中分析了实际流水中经常出现的各种失效机理,如效应、寄生三极管效应、热电耦合效应、热载流子效应等等,并针对本文设计的器件结构及’阂仗岢隽烁纳普庑┬вΦ拇胧蛔詈蠼岷系赺二章的参数、结构以及第三章中各种可能的失效机理在第四章中设计了与标准兼绺的工艺及版图,、电路设计的基本知识。,使得器件不但性能满足要求,而且考虑了稳定性、可靠性等方面的要求。采用馐砸遣獾闷骷脱勾笥F舻缪,将器件麻用于行驱动芯片,负载时,上升下降时间分别是和,完全满足目前市场上大多数恋驱动要求。目前国外推出的星酒玫墓β势骷蠖嗷赟材料,采用介质与低压部分隔离,成本相对较高;本文设计的基于外延材料,采用结与低压部分隔离,其工艺与标准低压完全兼容,降低了成本,其技术水平在凼内具有一定的领先优势。关键词:行驱动芯片、技术、
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期:龇研究生签名:—频际η┟骸环淙研究生签名:〕苋期:迦必东南大学学位论文使用授权声明东南大学学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并复印件和电子文档,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外,允许论文被查阅和借阅,可果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过表示了谢意。东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的以公布ㄇ论文的全部或部分内容。论文的公布ǹ授权东南大学研究生院办理。
⋯制唬ァ绪论、β势骷⒄故、,在保留标准俣瓤臁⒐男〉扔诺愕幕∩努力增大工作电压电流从而提高功率。图,潜曜糓管的基本结构截面图。衬底掺杂浓度较低,源漏高浓度掺杂,漏端电压增加时,耗尽区主要向衬底延伸,因此要提高耐压。需要采用高阻衬底:臼蔽A朔乐勾ǎ枰T黾庸档莱ざ萀。标准骷穆┑缌饔牍档莱ざ萀成反比,即:图.⒈曜糓管截面示意图因此增加厝换峤档推骷ぷ鞯缌鳎佣薹ㄌ岣吖β省NA私饩稣庖幻堋闠人提出了横向双扩散。:一、Ⅸ。由于该脑又逝ǘ仍对兜陀赑型沟道的杂质浓度,当漏电压增加时,。因此设计此闹饕H挝袷调节漂移区长度以及凸档篮推魄牡缱杪省6⒐档繧某ざ戎饕S闪酱卫┥⒌慕嵘罾纯刂疲因此梢宰龅煤苄《。的原意是降低表面场技术,实际上是轻掺杂层降低器件表面的电场强度。年,。同时也使导通电阻降低。ü艿幕窘峁梗东南大学硕一宦畚
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