文档介绍：兰州大学
硕士学位论文
微波单片集成低噪声放大器的设计与工艺
姓名:陈晓哲
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:张福甲;张海英
20050501
摘要低噪声放大器在任何射频接收系统中都位于系统的前端,其对射频接收系统的接收灵敏度和噪声性能起着决定作用,高性能低噪声放大器的设计与研制的关键是研制具有低噪声高增益的有源元件:高电子迁移率晶体管幽,韭畚母菹钟械氖笛樘跫杂诘驮肷鵋低噪声放大器的设计进行了研究,研究所得结果如下:訦骷墓ぷ髟恚牧辖峁梗骷匦裕⌒藕拍P徒辛朔治觯根据我们的设计要求和基本材料结构,提出了适合我们设计要求的器件外延层材料结构。明,对于设计中需要涉及的微带线理论知识进行了分析,对于各种匹配网络进行杓屏薑ǘ魏蛃波段低噪声放大器,对于整个的设计流程,设计思路进行了详细的说明。设计结果满足设计要求。并且对测试结果和设计结果进行了对比,结果显示,测试结果与设计结果基本相符,满足系统对于低噪声放大器的杂贖骷際驮肷糯笃鞯墓ひ丈杓平辛怂得鳎饕6于无源元件,有源元件的版图设计和版图的等效电路进行了说明与分析,根据现有的实验条件进行了工艺流片。关键词:高电子迁移率晶体管微波单片集成电路低噪声放大器射频接收系统莸驮肷糯笃鞯纳杓埔G螅杂诘驮肷糯笃鞯闹饕V副杲辛怂要求。了详细说明。兰州大学硕士学位论文
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期:盟论文作者签名:医赴丝原创性声明研究所取得的成果。学位论文中凡引用他人已经发表或未发表的成果、数据、观点等,均已明确注明出处。除文中已经注明引用的内容外,不本人郑重声明:本人所呈交的学位论文,是在导师的指导下独立进行包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究成果做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。
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第一章绪论§微波集成电路的发展历史和发展背景§微波单片集成电路的发展概况微波集成电路琈钤绯鱿衷甏跗冢在此之前,微波电路与设备都是由波导,同轴线和真空电子器件组成。在年代,微波领域有两个较大的技术变革,一是研制了许多微波固体有源器件;二是微波平面传输线的深入研究与实用化。微波固体有源器件包括肖特基势垒混频二极管,开关用的埽糜诒镀导安瘟糠糯蟮谋淙莨埽旱U竦用的耿氏二极管,雪崩二极管,三极管类包括双极型平面三极管和场效应管;平面传输线主要是微带线,同时配合使用槽线与平面线微波半导体器件和平面传输线构成的微波集成电路以其小型化、重量轻、耗能少而受到重视,获得了迅速发展。微波集成电路的含义是相对于立体的波导与同轴结构的微波电路而言,它不同于低频集成电路与脉冲数字集成电路。低频集成电路是把有源、无源器件和连线都傲在半导体芯片上,而微波集成电路传输线电路采用分布参数的平面传输线饕J俏⒋,微波半导体器件仍是单独封装之后再焊接到电路中。因此,更确切的名称是微波混合集成电路,通常称为微波集成电路年代,随着微波半导体器件性能提高、成本降低,J冀氤墒旖段。各种类型的混频器、检波器、振荡器、放大器、开关、限幅器等已占锯了微波通信、雷达、电子战武器系统的主导地位。尤其是场效应器件具有优良特性和许多用途,从而促进了娜娣⒄埂年代中,随着微波半导体器件的成熟,工艺加工技术的改进,以及材料设备的完善,器件成品率提高,使单片微波电路的研究已具备现实的条件。微波单片集成电路琈是把无源电路、无源组件、有源半导体器件都制作在同一个半导体芯片上。的电予迁移率比硅高数倍,而半绝缘单晶体的电阻率又比硅高几个数量级,它不仅是微波器件的理想材料,也可以做为微波平面传输线的介质基片,因而几乎成为的唯一材料。已迅速成为微波技术领域的重点研究与发展方向兰州大学硕士学位论文
#辍R贫缁笆谐≌加蠫麟卜材杲鹎蛏榛匕氲继迨谐」婺近几年来,市场正以.%的年增长率高速发展。我国国内市场对勿%的份额。图猯展示了近几年全球砷化镓半导体市场规模:相比于奶氐阍谟赱:性雌骷辉俚ザ婪庾埃跎倭斯芸欠植疾问挠泻τ跋臁F骷目用频率范围提高,工作频带大大加宽。高频率、多倍频程电路很容易实现。性雌骷胛拊醋榧偷缏饭钩梢惶澹嘶旌霞傻缏分械男