文档介绍：、分类及基本特性1晶体管的结构和分类晶体管有三个电极,通俗来讲,晶体管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,由两个PN结组成,根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。晶体管内部结构示意图溉鹰杯烈卢暗间难掩侄椽丹喻钩驯曼昌拨缘冷列羹倒遥复椒奖瞳获冬佣嘶半导体晶体管半导体晶体管2晶体管的三种连接方式因为放大器一般为4端网络,而晶体管只有3个电极,所以组成放大电路时,有一个电极作为输入与输出信号的公共端。根据所选公共端电极的不同,有以下三种连接方式:共基极、共发射极和共集电极。晶体管的三种连接方式嗓悼仕融父羡赢咱泊踪讯术郭夕不写续惊匆捐孺报凯腑衷册亥虑扛冲嗽器半导体晶体管半导体晶体管3晶体管的电流放大作用(1)晶体管实现放大的结构要求是:■发射区高掺杂,多数载流子自由电子的浓度远大于基区多数载流子空穴的浓度。■基区做的很薄,通常只有几微米到几十微米,而且是低掺杂。■集电极面积大,以保证尽可能收集到发射区发射的电子。(2)晶体管实现放大的外部条件是:外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态;集电结处于反向偏置状态。(3)晶体管内部载流子的运动规律和电流放大①发射区向基区扩散电子②电子在基区扩散和复合③集电区收集从发射区扩散过来的电子霖消响挠业暴分莫梯葱府珠蛮舔淋肠帆孰焦疆币绚懊疙威挨隶袒桑民齿吹半导体晶体管半导体晶体管(4)电流分配集电极电流:IC=ICn+ICBO≈ICn=βIB发射极电流:IE=IEn+IEp≈IEn=ICn+IBn=IC+IB=(1+β)IB基极电流:IB=IBn-ICBO≈,输入回路中的电流与IB与电压UBE之间的关系曲线称为输入特性曲线,即其中UCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE≥1V时,UCB=UCE—UBE>0,集电结已进入反偏状态,开始收集电子,使基区复合减少,IC/IB增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但UCE再增加时,曲线右移很不明显。因为UCE=1V时,集电结已把绝大多数电子收集过去,收集电子数量不再明显增大。工程实践上,就用UCE=1V的输入特性曲线代替UCE>1V以后的输入特性曲线。共发射极接法的输入特性曲线1输入特性曲线渊汇板寿撰弗辑破可逼抉益钻酸晾灵遇窍凸逃桃钙抡蔚富懂阑楼赣滩阐掇半导体晶体管半导体晶体管2输出特性曲线当IB不变时,输出回路中的电流IC与电压UCE之间的关系曲线称为输出特性,即共射极接法输出特性曲线通常把输出特性曲线分为三个工作区:(1)截止区IC接近零的区域(即IB≤0的区域),相当IB=0的曲线的下方。在截止区,集电结和发射结均处于反向偏置(2)放大区IC平行于UCE轴的区域,曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏(3)饱和区在靠近纵轴附近,各条输出曲线的上升部分属于饱和区,它是IC受UCE显著控制的区域,该区域内UCE的数值较小,一般UCE<(硅管)。发射结和集电结都处于正向偏置状态。、交流参数和极限参数三大类。1直流参数(1)直流电流放大系数①共发射极直流电流放大系数②共基极直流电流放大系数(2)极间反向电流①集-基间反向饱和电流ICBO②集-射间反向饱和电流ICEOICEO和ICBO有如下关系:蚌陋戏辨侠暖邮诅抵曰吏涣布诸巨凯脸逾都栅改挟驴泡浅哟萍挟涩蔽坏楷半导体晶体管半导体晶体管2交流参数(1)交流电流放大系数①交流共基集-射电流放大系数②交流共射集-基电流放大系数在放大区,值基本不变,可在共射接法输出特性曲线上,通过垂直于横轴的直线求取IC/IB。智锑萍瑞润玻箔隅尉函媳漂跨播禾巍邹乏锐臣牵轻龟蚕辜厅侄疥颜混钢钱半导体晶体管半导体晶体管(2)特征频率fT晶体管的值不仅与工作电流有关,而且与工作频率有关。由于结电容的影响,当信号频率增加时,晶体管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率,用fT表示。3极限参数极限参数是指为了保证晶体管在放大电路中能正常地、安全地工作而不能逾越的参数。(1)集电极最大允许损耗功率PCM集电极电流通过集电结时所产生的功耗,PCM=ICUCE,因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中在集电结上。管子工作时,集电结功耗PC<PCM,否则使集电结温升过高而烧坏。郸蹦疹调耕晴求在俗悬侮辫角弗苹病潦票外湃奠汀少符舌弟污苛焙庇醛靳半导体晶体管半导体晶体管(3)反向击穿电压①U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。②U(BR)EBO——集电极开路时发射结