文档介绍：第一章晶体二极管及应用电路
§1-1 半导体基础知识
(一)半导体
一半导体:其导电能力介于导体和绝缘体之间。

半导体具有某些特殊性质:如压敏热敏及掺杂特性,
导电能力改变。
二半导体材料:用于制造半导体器件的材料。
半导体管又称晶体管。
本征半导体:纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯(99. 999%以上)即为本征半导体。
本征激发:价电子因热运动获得能量,争脱共价键的束缚,成为自由电子,同时在共价键上留下空位,这一现象成为本征激发。图1-3
温度越高,本征激发越强,产生的自由电子和空穴越多。
两种载流子
★载流子:能够导电的电荷。
半导体中的两种载流子:自由电子,空穴
★两种载流子导电的差异:图1-4
●自由电子在晶格中自由运动
●空穴运动即价电子的填补空穴的运动,始终在原子的共价键间运动。
载流子的复合和平衡
载流子的复合:自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子空穴对消失。
动态平衡:当温度T一定时,单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等,称为载流子的动态平衡。
本征浓度ni:平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数(空穴数)。
(二)杂质半导体
杂质半导体:在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。
一 N型半导体:
在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质,简称施主(能供给自由电子)。图1-5
二 P型半导体:
在本征Si和Ge中掺入微量Ⅲ族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入Ⅲ族元素称为受主杂质,简称受主(能供给自由电子)。图1-6
P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子。