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AVR104 缓存和中断方式EEPROM写入.doc

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AVR104 缓存和中断方式EEPROM写入.doc

上传人:JZZQ12 2019/8/14 文件大小:147 KB

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文档介绍

文档介绍:AVR104:缓存和中断方式EEPROM写入翻译:邵子扬2006年8月18日@特点多字节EEPROM缓存高效EEPROM访问缓存访问控制EEPROM缓存重写介绍许多应用中使用了AVR单片机内置的EEPROM来保存和恢复参数。,在这个写入时间里写入访问被禁止。传统上是使用查询法来判断EEPROM写入是否完成的,这篇应用笔记介绍一种使用缓存和中断方法,明显的提高了程序的性能,和查询法相比还减少了电源的功耗(在等待期间可以进入休眠模式)。提高性能和降低功耗直接关系到系统。当执行EEPROM写访问查询时,所有资源(除了中断)都被查询所占用,而中断法在“等待”EEPROM写入完成中断时,可以将单片机释放出来去执行其它代码。与查询法相比,–依赖于芯片编程时间和系统时钟频率。理论AVR单片机既可以通过中断方式也可以通过查询方式写内部的EEPROM,两种方法有各自的优点,但是从执行性能看要选择中断方式。轮询法轮询就是在读写时,查询EEWE状态标志位来保证写周期已经完成。如果写周期还在进行中,单片机将等待并不停检查标志位,直到标志位被清楚后才继续进行。检查自编程是否被激活也是必要的,在需要时,要等待SPM操作完成。如果不使用自编程,可以忽略这个步骤。一旦标志位被清除,就可以启动下一个EEPROM操作了。轮询法的优点是代码紧凑,主要缺点是单片机在等待EEPROM写入时浪费了很多时间。一个典型的单字节写子程序如下:EEPROM_WR: ;EEPROMWriteSub-RoutinesbicEECR,EEWE ;IfEEWENotClearrjmpEEPROM_WR ;WaitLongerSPM_BUSY: ;(OmitifSelf-ProgrammingisNotUsed)sbicSPMCR,SPMEN ;IfSPMENNotClearrjmpSPM_BUSY ;WaitLongeroutEEARH,r16 ;OutputAddressByte(High)outEEARL,r17 ;OutputAddressByte(Low)outEEDR,r18 ;OutputDataBytecli ;DisableGlobalInterruptssbiEECR,EEMWE ;SetMasterWriteEnablesbiEECR,EEWE ;SetEEPROMWriteStrobe;Thisinstructiontakesfourclock; ;EnableGlobalInterruptsret ;ReturnFromSub-Routine中断法在中断驱动法,不需要查询EEWE状态位确定EEPROM写入完成,EEPROM就绪中断是EEWE状态位被清除时触发的。如果使用了自编程,还是需要查询SPMEN状态位的,保证当前没有处于自编程状态。中断驱动法的主要优点是减少了处理器的负荷。如果使用了缓存中断驱动EEPROM访问的效率更高:缓存保存需要写入EEPROM的参数,中断程序从缓存中获取数据。中断复位程序(ISR)的复杂度和写入EEPROM的字节数有关。这个程序对单字节缓存是相对简单的,但是当需要写入多字