文档介绍：硅集成复习重点1、前工序:是指从原始晶片直至最终测试之前的所有工序过程,是集成电路制造的核心。主要包括:图形转移技术:主要包括光刻、刻蚀等技术薄膜制备:主要包括氧化、外延、CVD、PVD掺杂技术:主要包括扩散、离子注入等2、后工序:是指从最终测试到集成电路完成直至出厂间的工序。主要包括:划片、封奘、测试、老化、筛选等。3、辅助工序:为保证前后工序顺利进行所需的一些辅助工艺技术。主要包括:超净厂房、超纯水、高纯气体制备等。§(了解)一、:Si、Ge、C(金刚石):GaAs、SiGe、SiC、GaN、:蓝宝石二、对衬底材料的要求(理解)§、直拉法(CZ法)的流程、基本原理(掌握)二、悬浮区熔法(float-zone,FZ法)(了解)三、水平区熔法(布里吉曼法)---GaAs单晶一、晶体的整形(理解)二、晶体定向(了解)、晶面标识(了解)主次参考面(主定位面、主标志面),用来识别晶向和导电类型四、晶片加工(掌握)切片、磨片、抛光§(了解)§1扩散一、扩散原理(掌握)本质上:扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果。方向上:高浓度向低浓度扩散。=-D·▽(掌握)①间隙式扩散②替位(代位)=D0exp(-Ea/kT)D0—表观扩散系数,Ea—激活能;D是描述粒子扩散快慢的物理量,是微观扩散的宏观描述。—扩散方程(掌握)(掌握)定义(特征):在扩散过程中,Si片表面的杂质浓度始终不变。例如:预淀积,箱法扩散,余误差分布:(掌握)定义(特点):在扩散过程中,杂质源限定于扩散前淀积在晶片表面极薄层内的杂质总量Q,没有补充,也不会减少。例如:再分布。--(理解)第一步:较低温度下,预淀积;第二步:较高温度下,再分布;两步法的浓度分布:预淀积(恒定源扩散)――余误差分布;目的:准确控制表面杂质总量Q。②再分布(有限源扩散)―高斯分布目的:(理解)(了解)§2-2离子注入概念、特点(掌握)①注入温度低②掺杂数目完全受控③无污染④横向扩散小⑤不受固溶度限制⑥注入深度随离子能量的增加而增加。缺点:①损伤(缺陷)较多:必须退火。②(了解)(理解)(了解)①E0<Ene,即以核阻挡为主,令Se(E)=0,则R≈k1E0②E0>Ene,即以电子阻挡为主,令Sn(E)=0,则R≈k2E01/(投影偏差)△RP—反映了RP的分散程度(分散宽度)。(理解)(掌握)(掌握)减小沟道效应的途径①注入方向偏离晶体的主轴方向;②提高温度;③增大剂量;④淀积非晶表面层(SiO2);⑤在表面制造损伤层。(了解)掌握掺杂的目的,作用、特点及影响因素;扩散及离子注入的原理,杂质分布特点,会计算主扩散时杂质扩散的浓度、结深以及注入的射程第三部分薄膜技术§(重点)氧化:制备SiO2层SiO2的性质及其作用SiO2是一种十分理想的电绝缘材料,它的化学性质非常稳定,室温下它只与氢氟酸发生化学反应SiO2薄膜在工艺中的作用(掌握)①杂质扩散的掩蔽膜;②器件薄膜的钝化、保护膜;③IC隔离介质和绝缘介质;④MOS电容介质;⑤MOSFET的绝缘栅介质。一、①晶体结构(掌握)②无定形(非晶形)结构:(掌握)(了解)二、常规热氧化法制备SiO2膜的原理、特点(掌握)干氧、水汽、湿氧三类三、实现SiO2的扩散掩蔽作用的条件(了解)最小掩膜厚度ZOX,min的确定:双极器件,ZOX,min=,ZOX,min=、杂质的分凝、杂质的存在形式及扩散系数§(掌握)外延的分类(了解)一、外延生长动力学原理外延生长的步骤(理解)①传输(扩散)②吸附③化学反应④脱吸⑤逸出⑥加接速度附面层(掌握);质量附面层δN(理解);生长速率(掌握):①当hG»ks,是表面反应控制。②当ks»hG,是质量转移控制。二、(了解)(了解)(理解)①衬底杂质的再分布;②外延掺入杂质的再分布;③总的杂质分布(图3-24):N(x,t)=N1(x,t)±N2(x,t)