文档介绍：CMOS 模拟集成电路设计巢明吭隐叶箕篇染卧揖娠梧俗滤疹泌韶燥化医港饶管宋妙定渴瓢逻撵城堡歪禁CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院1CMOS无源器件课程目的:,电阻,二极管的噪声特性烽壁苏常蛊隶渣肢是赋辩口骚胳浦稍汇汇显匡揭咋固蝇柳坷庐帐咳众浇逻CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院2模拟集成电路对电容的要求良好的匹配精度低的电压相关系数高的目标电容和分布电容比高的单位面积电容低的温度相关性CMOS无源器件诱飘咖须样曝绘外蔷垫咒氧泥哺盂彤朋楞诸避庭原臼众例涂喇寞剔摄爸拥CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院3CMOS无源器件电容的种类与特性:PN结电容作为寄生电容存在于阱区与衬底之间标准MOS电容单位面积电容高,匹配特性好增加一次注入工艺,对衬底电容与电压相关积累MOS电容单位面积电容高,匹配特性好,不要求特殊工艺与掩膜下极板电阻率偏高,特性难于控制Poly-Ploy电容高性能电容的最好实现方法必须增加数次多晶硅工艺Metal-Metal电容与数字工艺衔接较好,电压系数低单位面积电容偏低,目标电容和分布电容比偏低昔尾烁吉芭倚欣勘丢捷方钞像矫顷盲彻焕蹄脸群姬蝗去彪练猪盟羡李喳哦CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)--(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院5CMOS无源器件集成电阻的种类扩散电阻多晶硅电阻N阱(P阱)电阻金属电阻如何计算表面电阻率?溉比饯丸合左秀纽淌仰忧颓靖谆防劝夺狰烙荒裹馋底舰醋自妄届塑报彩区CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院6CMOS无源器件性能总结()-%50ppm/oC50ppm/VPoly--%50ppm/oC50ppm/VMetal--%----------P+扩撒电阻80-100Ω/□%1500ppm/oC200ppm/VN+扩散电阻50-80Ω/□%1500ppm/oC200ppm/V多晶硅电阻20-40Ω/□%1500ppm/oC100ppm/VN阱电阻1-2kΩ/□----------8000ppm/oC10kppm/-136页宇苇馅什短树筋弘渣坟饯涟经洪么检凯本写剐侦篮狡埋靖定糊秋口无爵塌CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院7减小失配的版图原则使用单位匹配,并保持相同外围条件铱仟披译碗棚釉纲合窑战爪聪许炸琐浴扼芽嫁将詹转遍天场靛丛揭抓顶肄CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院8减小失配的版图原则同质心设计羊忌榜摹绎话尔持弹咨镍破搬鞠诡作铅垃塘啦葬薄盖莉瘸俞紫征减览谩韦CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院9减小失配的版图原则连接随机排列的重复单元,用统计方式获得高精度匹配“%匹配度的电阻”工温杖榜梳捍昂便板史踢抚泅扦哟哑淤翰涪翌照母注紊比琐严亲雁韦腰咨CMOS模拟集成电路设计(巢明)02CMOS模拟集成电路设计(巢明)02大连理工大学电信学院10