文档介绍：,GTO,IGBT,MOSFET,功率能力:SCR(10MW)>GTO(MW)>IGBT(百KW)>MOSFET(10KW)频率能力:MOSFT(百KHz)>IGBT(10KHz)>GTO(1KHz)>SCR(几百Hz),电压峰值300V,选择其电流电压定额电压定额UTIT(AV):2*300V=600V电流定额IT(AV):*100A=,非正常导通条件正压,门极触发;过压,过电压上升率,过温1,:通态、断态、开关状态损耗种类:稳态损耗:通态损耗、断态损耗动态损耗:开通损耗、、陡度、宽度及良好的可靠性、抗扰性、电气隔离性。、~15V,关断电压为-5~-15VIGBT常用开通电压为15~20v,关断电压为-5~-,有何问题,如何解决增大电压电流容量;均压均流;选择件同参,并均压电阻,、元件。过压保护装置、元件:避雷器、缓冲电路、RC过电压抑制电路、反阻断式RC电路、雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管等。过流保护装置、元件:快速熔断器、直流快速断路器、过电流继电器思考判断题1开关器件主要工作在开关状态,关断比导通容易(-),断态损耗比通态损耗大(-).高频时开关损耗比通态损耗大(+).按容量能力是SCR>FET>IGBT(-);按频率能力比较是SCR<FET<IGBT(-).SCR,FET为电流驱动(-),IGBT为电压驱动(+).器件串联目的是增大电压容量(+),问题是均流(-)。晶闸管正常导通条件是:正压(+)、阳极加触发(-)、阳极电流足够小(-),导通后不再需要触发(+)。过热会误导通(+),不过压不过热则不会误导通(-)保护开关器件常串联RC(D)电路用于开关缓冲(-)线路并压敏电阻可防变流设备过流(-);线路串熔断器可防过压(-)。:U2=220V,R=5Ω,a=60°(1)画ud,id,i2;计算Ud,IdUd=[cosα+1]/2=*220*(cos60°+1)/2==Ud/R==(2)加串大L,画ud,id,i2;计算Ud,Id,I2。Ud=*220cosα=*220*cos60°=99V;Id=Ud/R=99V/5Ω=(3)接(2):Idm=50A,选管电压电流定额。电流定额IT(AV)=*Idm/2=*50/2A==2*√2*U2=2**220=;(1)(2)=110V,L极大,Rx=,R=(1)画等效电路(2)α=60°,反电势Em=100V,求:(a)Id,Ud,γ*;输出功率P;功率因数.(b)画ud,idUdα=*U2cosα=*110*cos60°=;Id=(Udα-Em)/(Rx+R)=(-100)/(+)A==Udα-Rx*Id=(-*)V=,P=Ud*Id=*=;λ==*cos60°=(3)α=120°,反电势Em=-140V,求:(a)Id,Ud,γ*;输出P,功率因数λ;(b)画ud,idUdα=*U2cosα=*110*cos120°=-;Id=(Udα-Em)/(Rx+R)=(--(-140))/(+)A==Udα-Rx*Id=(--*)V=-,P=Ud*Id=-*=-;λ==*cos120°=-(4)Idm=100A,选管电压电流定额电流定额IT(AV)=*Idm/3=*100/3A=50A电压定额UT=2*√6*U2=2**110=;整流电路测试题◇整流电路控制角α越小则Ud越高(+);α越近90°功率因数越高(-)。Ud数值越高,功率因数越低(-).◇负载串电感可减小电流脉动(+),输出电压会升高(-).◇整流器RLE负载时Ud=Udmcosα(-),α有效范围为0—90度(-).◇整流器电流断续时,则输