文档介绍：:..硕士研究生学位论文题目:标题姓名:学号:院系:专业:研究方向:导师姓名:二〇一年月版权声明任何收存和保管本论文各种版本的单位和个人,未经本论文作者同意,不得将本论文转借他人,亦不得随意复制、抄录、拍照或以任何方式传播。否则,引起有碍作者著作权之问题,将可能承担法律责任。"标题1"\*MERGEFORMAT摘要摘要某某问题是…….本文采用了……研究表明…….关键词:关键词1,关键词2,关键词3……ENGLISHTITLEAuthorName(Major)DirectedbyyourSupervisorABSTRACTInenvironmentaleconomics,,:Keyword1,Keyword2,Keyword3,……目录摘要 1ABSTRACT 2目录 3第一章引言 Ⅲ族氮化物(GaN基半导体)材料的基本性质 Ⅲ族氮化物半导体的晶体结构 1第二章研究进展 2第四章图表示例 4第五章结论及展望 5参考文献 6附录A附录示例 8致谢 9北京大学学位论文原创性声明和使用授权说明 10注:目录从第1章开始,前边因页眉需要设置了标题,实际使用时更新后去掉前边部分。使用时请删除本注释。如本示例,更新目录后删除前边三项(摘要、ABSTRACT、目录)即可。"标题1"\*MERGEFORMAT摘要第一章引言自20世纪50年代后期集成电路问世以来,固体电子器件的小型化和集成度便在高速、低能耗、和高存储密度的要求下持续迅速地提高。半导体集成电路经过近几十年来的发展,在Moore定律“大约每18个月芯片的集成度增加一倍”的预言推动下,硅基微电子芯片的特征线宽已经从Intel第一代处理器的10μm缩小到了2011年应用于第三代Core处理器的22nm[1,2],目前正在向14nm工艺发展。随着器件的缩小,尺寸限制所带来的量子效应也趋于明显。当器件尺寸达到与电子的费米波长相比拟的长度时,离散能级以及干涉、隧穿等量子效应就会对器件中的电子输运产生决定性的影响。这些小尺度下的新现象和新效应既是对传统半导体器件的挑战,也为开发新型器件提供了机遇。如何突破传统器件的设计思路,利用这些量子效应来实现更高效、低能耗的计算,成为了物理学中的一个研究热点[3-5]。……….Ⅲ族氮化物(GaN基半导体)材料的基本性质Ⅲ族氮化物是一类具有宽带隙、强极化和铁电性的半导体材料。常见的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接带隙半导体……………….………….Ⅲ族氮化物半导体的晶体结构………….(blackcarbon)气溶胶的主要来源包括各种化石燃料和生物质燃料的不完全燃烧过程(Penneretal.,1993;Bondetal.,2004),这些不完全燃烧在自然界和人类活动中都会发生,因此,环境中黑炭气溶胶的来源十分广泛。对当今大气环境中的黑炭,其主要来源是人类相关的燃料燃烧活动(段凤魁,2007),此外,一些自然过程也会产生黑炭,如森林火灾、草原火灾等。根据过去的排放清单研究,大气环境中黑炭气溶胶的来源主要包括:1)有机燃料的燃烧,主要包括能源行业、工业部门、交通运输行业、居民生活中煤、石油、天然气和各种生物质燃料的使用。通常而言,燃烧效率越高,产生的黑炭气溶胶的量越低;2)工业炼焦,主要包括炼焦过程中的炼制过程、焦炉加热系统以及焦炉煤气的泄漏等等;3)工业制砖,主要包括制砖过程中物料破碎输送、坯体人工干燥和烧成工段等过程;4)垃圾焚烧,包括生活垃圾和工业废料的燃烧过程;5)天然火灾和野外农业废弃物燃烧,包括森林、草原火灾和秸秆的燃烧。目前大部分研究表明,民用取暖和做饭过程中的燃料燃烧和城市柴油车是黑炭气溶胶大气排放量最大的源(Streetsetal.,2001,2003,2013;Bondetal.,2004,2006;Caoetal.,2006;Klimontetal.,2009;Zhangetal.,2009;Luetal.,2011)。……