文档介绍：三***氢硅生产工艺三***氢硅生产工艺三***氢硅的生产大多采用沸腾***化法,主要包括***化氢合成、三***氢硅合成、三***氢硅精制等工序。***气和氢气在***化氢合成炉内通过燃烧反应生成***化氢,***化氢气体经空冷、水冷、深冷和酸雾捕集脱水后进人***化氢缓冲罐,然后送三***氢硅合成炉。硅粉经过干燥后加入到三***氢硅合成炉,与***化氢在300℃左右的高温下反应,生成三***氢硅和四***化硅。生成的粗三***氢硅气体经过旋风分离和除尘过滤后,进入列管冷凝器进行水冷和深冷,不凝气通过液封送入尾气洗涤塔,处理后达标排放,冷凝液蒸馏塔分离提纯,通常采用二塔连续提纯,一塔塔顶排低沸物,二塔塔底排高沸物四***化硅,同时塔顶出三***氢硅产品。%?0m&e6U7~!Z,B"Z;q+v第一节2B  ***@3e:{7r&N******化氢合成条件$j2n.***@4i*O1M:N"G***化氢的合成是在特制的合成炉中进行的。未了确保产品中不含有游离***,氢气要较***气过量15%~20%。实际生产的炉中火焰温度在200℃左右。由于反应是一个放热反应,为了不使反应温度过高,工业生产通过控制***气和氢气的流量和在壁炉外夹套间通冷却水的办法控制***化氢出炉温度小于350℃。***化氢合成工艺***化氢合成方程式:$c([4r4p3i4q#a;P6nCl2+H2→2HCl***气经涡轮流量计计量***气(***气含量97%,)含量进入***气缓冲罐。!J9G4?9d7S(L+]氢气经涡轮流量计计量氢气(含量98%,)含量经分水罐脱水与循环氢经涡轮流量计进入氢气缓冲。0S,[(a5h2o+l-W:{经过计量的***气和氢气进行流量调节,调节***气和氢气的比值为1:~(体积比),送入二合一***化氢石墨合成炉进行反应,反应生成的热量通过合成炉夹套中的循环水带走,反应生成***化氢气体,,***化氢气体温度降到165℃以下,送入石墨冷却器用循环水冷却,冷却后***化氢气体温度降至45℃左右,通入机前深冷气经冷冻水进一步冷却到-20℃~-30℃脱水。;P%e$K#S!|+J"v冷冻后的***化氢气体经除雾器脱除***化氢气体中的雾滴后,经机前加热器加热到15~25℃后,进入***化氢压缩机使***~,后经缓冲罐(V-103)缓冲进入***化氢深冷器,***化氢气体冷却到-15~-25℃,脱除***化氢气体中的酸水,在进入V-105缓冲脱除***化氢气体夹带的雾滴,***化氢气体经加热的(E-106)加热后进入流化床供流化床反应使用。0t#b+H-r"y$X#z%***化氢合成工艺简图:5}7g7]7}%c/?/n2]0X,X9a5Z'X1S9O)N$K9J;{"Q#A"P  ~5P  ^2n;D&n第二节/o"Z  F"g*T#k(Z8N1F&T硅粉精制工艺4f,k)?4R,`(a7]#;z8o7`\cm3,沸点为2355℃,熔点为1480~1500℃,在三***氢硅生产中其水分小于200ppm。有水易于形成盐酸,盐酸因含有游离氢而腐蚀设备,其爆炸极限下限为160g\cm3。1c7B  t0~8t硅在地壳中分部很广,约占地壳总质量的1/4,仅次于氧。主要分部于黑龙江、吉林。硅分无定形硅和晶体硅。晶体硅是灰色有光泽、硬而脆的固体,其结构跟金刚石的结构相似,也是一种原子晶体,硅的导电性能介于金属和绝缘体之间,单晶硅是良好的半导体,可用来制作半导体器件,如硅整流器、晶体管和集成电路等。#J#?*j8h    n3g/%O%G#d3c9m+V3d;Q硅粉精制是把会有一定量水分的硅粉在干燥炉内同氮气流化夹套蒸汽加热进行干燥,去掉水分,干燥后的硅粉含水量是影响三***氢硅质量的关键因素,因此,严格控制工艺条件,保证硅粉质量是硅粉精制的主要任务。7\6l"{+w7M(p.{5Y",然后利用氮气加热器来的氮气(控制在200~250℃)从干燥炉底部吹入。同时打开蒸汽阀,给干燥炉夹套通蒸汽升温到180~220℃之间,每批加热时间3~4小时左右(根据每批通入硅粉数量确定)。每批加入的硅粉约1500千克,加热干燥后的硅粉放入硅粉加料罐中储备,供合成岗位使用。  g"^4M0e/|)]&H#?"b$n&c7r9\4i0c7G;L第三节8~2W3Q$M'L,v4U三******氢硅的性质三***氢硅别名为硅***仿、硅仿、三***硅烷;英文名:Trichlorosilane、***℃,熔点为-℃,自燃温度为185℃,在空气密度为1时,,在空气中爆炸极限为1.