文档介绍：目录
第一章概述 3
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、性能 4
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第二章技术可行性分析 6
、工艺设备的合理性和成熟性、关键技术的先进性 6
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第三章项目成熟程度 12
、鉴定及用户使用情况 12
、价格、性能等情况 12
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第四章市场需求情况和风险分析 14
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第五章投资估算及资金筹措 17
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第六章经济和社会效益分析 19
、销售收入估算 19
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第七章综合实力和产业基础 24
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、产业基础 27
第八章项目实施进度计划 28
第一章概述
砷化镓(GaAs)单晶是一种重要的半导体光电子和高速高频用半导体微电子材料,在国际上其产量仅次于硅。HB工艺是研究开发最早的GaAs单晶生长工艺,也是目前生产量最大的工艺,HB-GaAs单晶年产量占全世界GaAs单晶年产量的50%(2004年全球的GaAs单晶产量约140t)。
HB-GaAs单晶生长设备及生长过程涉及到物理、化学、冶金学、自动控制、机械工艺等多个学科,技术含量高,批量生产工艺难度大,日本、美国等少数厂家在上世纪八十年代前后即开始批量生产,但其所使用的生产设备、生产工艺及晶片加工技术对外严格保密。
国际上HB-GaAs单晶生产以日本住友电工公司为主,其产量约占全世界产量的60%(2004年为62%),所提供的晶片以Φ2”,”为主。
Φ2”,”水平砷化镓单晶近年来大量用于红外LED和高亮度LED,是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。但是由于国内目前还没有生产该产品的企业,使国内企业对该产品的需求主要依赖进口,造成大量资金流向国外。本项目产品的研发工作正是在这一背景下提出并开展的。
“水平砷化镓单晶材料产业化” 2001年被原国家计委批复为国家高技术产业化示范工程项目,并于2005年通过中国有色金属工业协会组织的科技成果鉴定,鉴定结果为:该项目的技术、产品质量达到了。本项目产品目前关键技术已经突破,并开始批量生产,产品已成功进入国内外市场。
下一步工作中,企业计划在进一步综合优化现有工艺技术基础上,使Φ2”HB-GaAs单晶成品率由现在的75%增加到85%。EPD<5×103cm-2。”HB-GaAs单晶成品率由现在的55%增加到70%,EPD<5×103cm-2。以进一步提高产品的性价比从而增强其竞争力。
本产品2005年通过鉴定后开始进行小规模生产,2005年该产品销售收入达到400万元,2006年产品销售收入达到1000万元,预计2007年销售收入可达到1800万元,净利润达到180万元。
、性能
本项目产品近年来大量用于红外LED(波长800-900nm)和高亮度(High bright-HB)LED—即AlGaInP/GaAs高亮度红、橙、黄色LED,是目前生产量和需求量最大、增长率最快的化合物半导体器件之一。
主要技术与性能指标如下:
N型(掺Si)
n(cm-3):(2~40)×1017;μn(cm2/):≥1400;晶片直径(mm):±,±;EPD(cm-2):≤1×104。
P型(掺Zn)
p(cm-3):(2~50)×1018;μP(cm2/):≥50(50~100);晶片直径(mm):±,±;EPD(cm-2):≤1×104。
本项目产品近年来大量用于红外LED和高亮度LED,市场前景非常广。但是目前国内还没有一家进行该项目产品研发生产的企业,国内企业对该产品的需求主要依赖进口,而进口产品价格昂贵,造成生产成本的提高。为缓解这种局面,本公司在原有产品的基础上,组织研发人员进