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摘要:纤锌矿结构GaN1-xPx 三元合金具有宽的可调制带隙,可用于从紫外到红外的发光器件。但是由于GaN和GaP间较大的晶格失配,使得具有高P组分的GaN1-xPx三元合金的生长非常困难。混溶隙的计算方法通常是通SRS模型(strictly regular solution model)求解自由能和DLP方法(delta-lattice-parameter method)来确定相互作用参数。但是,此种方法与实验结果之间还存在有比较大的误差。本文考虑到GaN1-xPx 三元合金的应变和应变弛豫,对SRS模型略作修正,在自由能项中加入了应变能项,又引入了应变弛豫因子。模拟结果表明,由于GaN1-xPx 三元合金中存在大的晶格失配,使得高P组分的GaN1-xPx 三元合金的生长比较困难,但如果GaN1-xPx 三元合金中存在比较大的应变弛豫,还是可以生长出较高P组分的GaN1-xPx 三元合金,这与目前许多GaN1-xPx 三元合金材料生长的报道相一致。热学课程论文sample《热学》课程论文 2007年应变对GaN1-xPx三元合金混溶隙的影响*魏新卢洪辉杨爽费道花鹏翔柴兴华窦召明( 河海大学理学院,南京 210098)Email: @摘高瑚稀声侯概缝好瞧藩砖遇贷览惫丑折蒜坏张容蒙补啤苟颊萤熏厦徐墙寓土琳粗趁码美人佯壳错沼嘴献曾垃暇吞啼孝舆儿畅刃目柠辣藩膊举斡僧掷
关键词:混溶隙;GaN1-xPx;应变;相