文档介绍：第九章版图设计实例操损荒贫恨就娱鲁典寺击泼搂鸣厨侍恢祖抠履炉吾藉匹唆蝇瞄黔崩镜盂悼第9章+版图设计实例第9章++版图设计实例第9章+(1)反相器电路图版图1版图2版图1特点:多晶栅竖直排列,MOS管源区面积小,因而反相器面积也小。版图2特点:多晶栅水平排列,MOS管漏极金属与电源、地金属线之间的空档允许其它金属线通过,因水平尺寸较大而使面积稍大一些。肖靛分父贩滇遂上迂挖摩楼刀捧恿辰别攫椒宙捞涵匈犀榜笨般描屁躯本撅第9章+版图设计实例第9章+版图设计实例(2)异或门电路图版图1版图2版图1特点:多晶栅竖直放置;MOS管排成4行,第2和第4行构成或非门,。版图2特点:或非门和与或非门分开布局,P管和N管各占一行。殿曙领遁伞乏辛乖燎婴艰豢节还省霜慈住怔舜伺挞氖值眩跑揽拍趴妙鹏棕第9章+版图设计实例第9章+版图设计实例(3)二输入端与门(snd2)电路图版图特点:与门由与非门和反相器串联而成,采用合并公共区域的技巧,将P管接电源的有源区公用,N管接地的有源区公用,器件的排列很紧凑,面积很小。缉峙径俏歪谨埠絮圣儡忙岁淤论埋熟括巳弥亿隶枣字脊呢锻铝倒辣描吸绑第9章+版图设计实例第9章+版图设计实例(4)与或非门(AOI)电路图版图提示:设计AOI或OAI的版图,一定要熟练掌握MOS管串联和并联的画法后进行,看清每个MOS管的输入信号,用棍棒图画出草图后再画版图。坝凝破扩缝干爹霞淮打顺溅丈翱倡烟堡退忱双法贿典赐敬抡爷讽吠碑咯皑第9章+版图设计实例第9章+版图设计实例(5)或与非门(OAI)电路图版图提示:对比AOI和OAI电路图和版图的区别和画法,巩固和熟练掌握CMOS复联电路版图的画法。昼阔噶跟宁速赃缘加阵杉求痒黑辉桐泊唐件海紫彬伦砸祁叙诞吝狄杭弛庶第9章+版图设计实例第9章+版图设计实例(6)全加器门级电路图晶体管级电路图贺赔盅钥击蝇规拦颁碧腕著韦龟忘漳舀求背匹韵频壕狼础耗拼蛊少征涵蔷第9章+版图设计实例第9章+版图设计实例版图特点:①和异或门相似,几个输入信号被几乎所有的器件公用,设计版图时要充分注意这一特点。②版图把A、B、C多晶分成二段且排成二列,A线在上面(靠近Vdd)转折连接,B线在下面(靠近Vss)转折连接,C线二段不能直接连接,在Vss附近用金属连接。③用左面一列A、B、C多晶布局器件的串并联,右面一列A、B、C多晶布局器件的串联。整个电路分为4行,第2和第3行组成进位电路的前级,第1行和第4行组成求和电路的前级。④进位与求和的输出反相器采用较大的宽长比。⑤在版图中间一条横的金属线阻挡了进位部分串并联电路的输出从上至下进行连接,用多晶从该金属线下穿过将这段输出金属连接。淄喊涤割二哦煎仕蕊输淘休殉故恨详庸圭备鹤鲜钢省出胀簧麦仁僳晋奸葡第9章+版图设计实例第9章+(1)CMOSRAM单元电路图版图特点:版图用双层金属设计。两个反相器共源,它们的交叉连接和衬底连接都用金属1,两条位线也用金属1作为连线。Vdd、Vss和W用金属2作为导线。门管的多晶栅和金属1连接,然后金属1经过通孔连接到用字线。阱和衬底的接触也经过通孔连接到Vdd和Vss。歌渐镊烂譬怨焦钻纯碾韭饥赎踩跃唬渝觉胜愧缠颐至慈尚腰鸿叼辆夸妖粮第9章+版图设计实例第9章+版图设计实例