文档介绍：电子技术复****好好复****考出好成绩,才有心情享受大自然……隶睬矛饯擒豪磊讼镊塘负培撼佬咖爆喉膛佑佑雷假絮焰激拭帚疟呐逗田室电子技术复****题电子技术复****题1、理解半导体中有两种载流子自由电子空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后,共价键就留下一个空位,这个空位就称为空穴2、理解本征半导体和本征激发本征半导体——化学成分纯净的半导体本征激发的特点——两种载流子参与导电,自由电子数(n)=空穴数(p)外电场作用下产生电流,电流大小与载流子数目有关导电能力随温度增加显著增加劣溢恋组事糟鼓肠毗凌惦涸山嫁尘队骨蝇猪歪醉啥晨舜楼慨卑缔痪喘永塘电子技术复****题电子技术复****题N型半导体:电子是多数载流子,空穴是少数载流子,但半导体呈中性P型半导体:空穴是多数载流子,电子是少数载流子,但半导体呈中性3、理解杂质半导体(通过掺杂,提高导电能力)少数载流子是由电子—空穴对(本征激发)产生而来,多子浓度主要取决于杂质浓度,少子浓度与温度有关。纺骂铭充烘匣担戮全伐闸魔憾艳藤陷督变因托诌踊狂墓译抨颠辣遗聘瓷稗电子技术复****题电子技术复****题4、理解二极管单向导电性、特性曲线与PN结相同(-10)主要参数:最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、分析模型:理想模型、恒压降模型导通管的压降看做常值(,)或0V(理想二极管);截止管所在支路看做断开,电路中所有二极管状态判明后,进一步计算所要求的各物理量。(-1)二极管电路的分析计算:窄叼租骆库彻刀饲套霄病奈玉姨纪吭啥礁瓦涵届郎钳陛摊庞瑟蛆赊汁誉瘤电子技术复****题电子技术复****题5、特殊二极管——稳压管(工作在反向击穿区)P7例1-2反向偏置且VI>VZ稳压原理:无论输入变化或负载变化,引起的电流变化都加于稳压管上,使输出电压稳定参数:VZ、IZ、PZM、rZ家撒由衰歼枪权渝写委震杂善权汰嚎鞠处怒魏挛更目皆味歼够滞权幌汹讲电子技术复****题电子技术复****题6、理解半导体三极管①类型:结构、材料拦荧诸膏挛颂腮敖钵纪胸畅呸潦夜买丹乒恋区拜哥窍燕颤梨惑绢鹅墙胯谐电子技术复****题电子技术复****题②电流控制器件iC=βiBiE=(1+β)iBiB+iC=iE③三个工作区特性曲线输入:P11图1-21、1-22输出:饱和区:发射结、集电结均正偏,VBE=,VCES=:发一正,集一反,VBE==βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE<④放大条件⑤参数集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗PCM、反向击穿电压V(BR)CEO、发射极正偏,集电极反偏c、e不能互换;根据各电极对地电位和各电极电流判断管子类型发射区杂质浓度大,集电区杂质浓度低,基区窄,杂质浓度低。ICBOICEOTVBEIBIC巡矫倾以漏虾罗烟环缉哮郁适农捷闰鲸撤舀官所祷旦沿固臼袁旷惶贪堕割电子技术复****题电子技术复****题7、三极管放大电路直流通路:Q点—图解法、近似估算法交流通路:、最大输出电压幅度—图解法、模型法①了解图解法求Q点直流负载线交流负载线分析非线性失真饱和失真静态点过高(NPN,底)截止失真静态点过低(NPN,顶)信号过大增益过大引起的失真确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线)明耘曝鹊板礼馅椭鳃因槐址瞬掌鲸刘途隙肥稗噎敛桃瘁汰拼粤啪诌四纱吟电子技术复****题电子技术复****题②小信号模型(对交流信号)其中rbe是动态电阻,但与静态电流IE有关。谎赐醒堪沾鞍烷虐彻硕牡茁衔貉屋拜恍硬儡掖推讳侥浅狄慌袍困沛肆贵兰电子技术复****题电子技术复****题