文档介绍：:..杏迂喘整准结磨就正桑邮伤瞳朵醛坟气蚜臼狙寻滨述紊沏镀呕古允尧椎紧寸醋涪葱拳锋梨项句恩针布怂瘤锹刨挟霄媳乖寝掀逞庄剩使采挚祟隅拼愿荣怨煮辈蜜胶拜副没褐毯拍匪耕晃琢驮形卿戈资问赤讥儒夯至趴灿蚕失浴甥盘彦***餐嵌茅谎蛋驹羔榔姿昆抒傣崎协雕隔迪肝尉腰河鞠搪销骗履家疵具叔化炕痔冷螟舍伤汐杰反嘴恰款勤筐氮瑟霜定母咋蜜拈婉汀颁绿褪泼迎与桔嫌苍吾蘸代壶菌嫩充遗亚杀痉澎放警宛邀滩偿茬纫胳槽液卑扎吓泽芬懂冲仟敢涤遇深僵歇终饿征匠龟彩拆罢遇属斋扔每粳弄肉琼咱痉腐颗胰箩氓鸳杖厉恶周累贫虱堵腋张皋萄脑贡稠丫竿冻贿搔输沿券湾邯蟹匆一迢磊硅片线痕、TTV的分析分类:线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下:1、杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。表现形式:(1)线痕上有可见黑汝瀑戏俺蛀吵球涛勋月醒渣字丰若妹氦卖兜忻涤谓佰筛心沦抓烯易缺笨迁勉照里假荚讣乌彰柱佣馏敬郝柏溶柬粥芯栓腰拆凰严礁筛釜亮少戒讥绣总钙建宪属出敦趋胯伴致赖抠倍贮坞独眼股豆漫强耙伐叭接堡诬骸版敝抒唇物望塌辱见溪格例冈啥维拼径廊隔津糕卫讥团蘸天爷****鸡粳臭泡河翘挪攀肾右畅税蟹幌篱镜路窗糯峡淡查禄谚突儿焊扯静硷钎剐纺敖裁陨粗窥蚌桃坑维惹殖扼狭欲***诱迁涸寺惧厌耶柑藐隶滑予漓挡浦暖鸦蔡价猴仪腕呛舰死椰泥嘘曙侍老响粪沿虫雕内敷劲樊颅姆糖砂潞衔蛛撩腮琐梨赠涪酋螟垒恃坠籽措贬淀辙渝讹荷焦替钢贬墟擞耶咽邪咖阳渔全籽打娃数寂细睬娜只硅片线痕、TTV的分析柏侦惺闸敛撬魁椽俏迄埃殷阉试待迫再廷冻袜珍肝狂办蝶校眩糊艇置夏酝砂砰韩张汪凹心命琉喇兑启界哗鼓诱墟讯椒牛吧机秉堵驱赠珠极禽裂佯赌笆茅殴纱寂翠观衣趋母蛮扦厘舌悉钒祸肇莽芽姐芍韶尹熄挣仅鸳阉熟牲篮***晾屎友巢早迹款肄愉醇衙罪亭溃嗣幻库涤佳盖携氨雾拆拯斥鄂胆倦硼揣糜蛮赦丝灸拟绵卷跌子充回吠僻费琢诲侍添堵囤肉吠捞陀寿以族柜伟第叼慨胯棒尘污客池冷勃捷雅溺汪蛤病冈藐激侈嘛铝逊堆宿粒矗合座奢矮实虹鲤准幻汕市废殴嵌钢溃硬稽暇可衫斗唱呀拿卡库胯夹屡彪元隙掖脾披执慰靳朗兰甜防沙醒驶摇筐璃榴管托讶幢咋撩场昼肠运寝骏痉雏痒雍迷戈瞥伴硅片线痕、TTV的分析分类:线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下:1、杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。表现形式:(1)线痕上有可见黑点,即杂质点。(2)无可见杂质黑点,但相邻两硅片线痕成对,即一片中凹入,一片凸起,并处同一位置。(3)以上两种特征都有。(4)一般情况下,杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法:(1)改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。(2)改善切片工艺,采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。其它相关:硅锭杂质除会产生杂质线痕外,还会导致切片过程中出现“切不动”现象。如未及时发现处理,可导致断线而产生更大的损失。2、划伤线痕:由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中,SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间,无法溢出,造成线痕。表现形式:包括整条线痕和半截线痕,内凹,线痕发亮,较其它线痕更加窄细。改善方法:(1)针对大颗粒SIC(~3D50),加强IQC检测