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文档介绍:模拟电子技术基础多媒体课件主编:马永兵第一节半导体基础知识第二节二极管第三节三极管第四节场效应管目录第一章半导体器件基础自然界中的物体根据其导电能力可分为导体,半导体和绝缘体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及***化镓GaAs等。第一节半导体基础知识第一章半导体器件基础一、引言本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。%,常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。第一节半导体基础知识第一章半导体器件基础二、,在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有,并为它们所束缚,在空间形成排列有序的晶体硅(锗)晶体结构第一节半导体基础知识第一章半导体器件基础二、本征半导体这一现象也称作“本征激发”或“热激发”当导体处于热力学温度0K时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到光照作用时,价电子能量增高,个别价电子挣脱共价键束缚,而参与导电,成为自由电子,同时在共价键的位置上留下一个空位,称作空穴。空穴带正电,、本征半导体空穴的移动:当出现空穴时,由于电场的作用,与它相邻的价电子很容易离开它所在的共价键而填补到这个空位上,在电子原来的位置上留下空穴,而其它电子又可以转移到这个新的空位上,那么在晶体中就出现了电荷移动。、本征半导体自由电子的定向运动形成了电子电流,空穴的定向运动也可形成空穴电流,它们的方向相反。结论:①半导体中存在两种载流子,一种是带负电的自由电子,另一种是带正电的空穴,它们都可以运载电荷形成电流。②本征半导体中,自由电子和空穴相伴产生,数目相同。③一定温度下,本征半导体中电子空穴对的产生与复合相对平衡,电子空穴对的数目相对稳定。④温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。、本征半导体在本征半导体掺入微量的其它适当元素后形成的半导体叫做杂质半导体。掺入杂质后的半导体,导电性能大大的增强。根据掺入杂质的不同分为两种:掺入五价杂质元素(如磷、***)形成的N型半导体和掺入三价杂质元素(如硼、镓、铟等)形成的P型半导体第一节半导体基础知识第一章半导体器件基础三、杂质半导体在本征硅中,加入少量五价杂质元(如磷),形成N型半导体在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由本征激发产生提供自由电子的五价杂质原子因自由电子脱离而带正电荷成为正离子,因此,五价杂质原子也被称为施主原子。N型半导体的结构如图所示第一节半导体基础知识第一章半导体器件基础三、