文档介绍：常州大学学位论文原创性声明

本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师指导下独立进行的
研究工作及取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不
含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做
出重要贡献的个人和集体,均已在论文中以明确方式标明。本人已完全
意识到本声明的法律结果由本人承担。

作者签名: 签字日期: 年月日

学位论文版权使用授权的说明

本学位论文作者完全了解常州大学有关保留、使用学位论文的
规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属常州大
学。学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,
允许论文被查阅和借阅。学校可以公布学位论文的全部或部分内容,可
以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。
保密论文注释:本学位论文属于保密范围,在年解密后适用本
授权书。非保密论文注释:本学位论文不属于保密范围,适用本授权书。

学位论文作者签名: 签字日期: 年月日

导师签名: 签字日期: 年月日
中文摘要
忆阻器是具有记忆特性的非线性电阻器,是物理上新实现的第四种
基本二端电路元件。本文以分段二次型非线性函数描述的有源磁控忆阻
器为例,分析了有源忆阻器的伏安关系,研究了有源忆阻器与电容串联
电路(简称有源 WC 电路)的输出端(忆阻器两端)的伏安特性,以及 WC
电路的频率响应特性,并与有源 RC 电路进行了比较分析。结果表明:有
源忆阻器的伏安关系具有紧磁滞回线特性,且这一特性依赖于其内部初
始状态及输入激励的频率和幅值;有源 WC 电路的输出端的伏安关系具
有紧磁滞回线特性,且这一特性依赖于电路的电容值和输入激励的频率;
有源 WC 电路与有源 RC 电路均呈现高通特性,但前者为超前网络而后者
为滞后网络。对基于有源磁控忆阻器的等效电路进行了电路仿真,其结
果很好地验证了理论分析。
记忆元件和记忆系统的概念可以推广到具有记忆效应的一般器件和
系统中。基于此,本文根据记忆元件的一般性定义,进一步提出了一个
新的记忆元件并且研究了它的性质,在这个记忆元件的基础上,构造了
一个简单的混沌记忆系统,并且描述了其复杂的动力学特性。这些特性
通过电路实验和 PSIM 仿真得到验证。实验表明在周期激励作用下,记忆
元件输入和输出之间的相图呈现紧磁滞回环特性,这一特性依赖于记忆
元件的初始状态,输入激励的振幅和频率;构建的混沌记忆系统表现出
依赖于记忆元件内部状态变量初始值的复杂的动力学行为。

关键词:忆阻器;伏安关系;有源 WC 电路;记忆元件;混沌记忆系统

I
ABSTRACT
Memristor, a nonlinear resistor with memory property realized physically
recently, is the fourth basic two-terminal circuit element. In this paper, an
active flux-controlled memristor with piecewise-quadratic nonlinearity is
taken as an example, upon which the voltage-current relationship of the active
memristor is analyzed, the voltage-current relationship of the output (the
memristor) and the frequency response characteristic of a series circuit
consisting of an active flux-controlled memristor and a capacitor (simplified
by an active WC circuit) is studied, and parative analysis with an
active RC circuit is made. The results indicate that the voltage-current
relationship of the active memristor has a pinched hysteresis loop
characteristic and depends on its inner initial state, the frequency an