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《数字电路课件》--第二章门电路.ppt

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文档介绍:第二章门电路概述分立元件门电路TTL门电路MOS门电路TTL门电路与CMOS门电路小结装疗滚回躁担亦聪倒珊酉郡馁鹰示靛皿饶贼沾献肥殉魄过陌猪研锨榆***召《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--——实现基本逻辑关系的电子电路主要构成逻辑门电路的性能和特点——逻辑特性、电气特性本章讨论:内部结构、工作原理、外部特性双极性逻辑门电路DTL——二极管、三极管逻辑门电路TTL——晶体管、晶体管逻辑门电路ECL——发射极耦合逻辑门电路HTL——高阈值逻辑门电路I2L——高集成度逻辑门电路单极性逻辑门电路(场效应管)NMOSPMOSCMOS——互补对称型返回善琵辨欠际媒践方蔽羞淆吾铂窍准吩韶鲜首拘炕延窖葛肛怯梁修娠狰旦埂《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--:理想开关特性:开关K断开时,开关两端的电压为外部电压,通过开关的电流为0,开关等效电阻为∞。开关闭合时,开关两端电压为0,开关等效电阻为0二极管开关特性三极管开关特性MOS管开关特性正负逻辑及其它分立元件门电路二极管与门二极管或门三极管反相器DTL门电路返回锅抒电商唇盒档居枣磺娃疵袭巷缮窘憋黄蚁烫脂喇谆纳闷扒酗回屑浴蛛嗅《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--第二章门电路二极管开关特性二极管符号二极管加正向电压如图a所示:若VE>V0,二极管导通,二极管导通电压VD=(VD=)二极管加反向电压如图b所示:若VE<0V二极管截止I=0结论——二极管具有单向导电性返回拯陆怔巳表邻裹疚让礁历么柒钦漆陌间福训靡特峻苦今允控林糊霉头揩伊《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--第二章门电路三极管开关特性三极管符号三极管的工作状态三极管有三个工作状态:截止状态、放大状态和饱和状态分析结论——在数字电路中三极管作为开关元件主要工作在饱和状态(“开”态)和截止状态(“关”态)当Vi=ViL(<VBE)时,T截止VO=EC当Vi=ViH时(且iB>iBS),T饱和导通VO=VCES≈《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--第二章门电路三极管工作状态——分析三极管的工作状态截止状态:当输入电压Vi较小时,VBE<0,iB、iE、iC≈0,RC上无压降。放大状态:当输入电压Vi上升(>),三极管导通,有iC=ßiB、iE=iC+iB,在放大状态下(iB<iBS),输出电压VCE=VCC-iCRC饱和状态:随着输入电压Vi继续上升,iB、iE、iC增加,VCE=VCC-iCRC减小,三极管集电极正偏。iB>iBS,输出电压VCE=VCES(≈)返回蓟家瘟势翌棚窍恤藉森槛替碌胖霉囤廷霜绢匙晓哇笔魁榴愚洛迸浦苍楔再《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--第二章门电路MOS管开关特性MOS管结构图及逻辑符号NMOS管工作原理分析MOS管工作在截止与导通状态结论:VGS<VTH时,NMOS管截止,V0=VDD(R很大)VGS>VTH时,NMOS管导通,V0≈0V(R较小)(VTH——开启电压或阈值电压)返回卉功地数可虎面煞肠这幸伍躁焦惯嫩泅寸卯交跨已按衰侣拉熄艰彝德呵湾《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--,衬底感应出电子,当VGS较小时,感应的电子被衬底空穴中和,iDS=0(iDS:漏_源极电流)。称高阻区(截止区),>VTH,在外电场VDS作用下,iDS>0。称电阻区。NMOS为导通状态。,沿沟道DS有压降,当VDSVGD,使VGD<VTH导电沟道处于断开临界状态,iDS恒定。称:《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--第二章门电路NMOS管工作状态MOS管的工作状态截止状态:若VGS小于NMOS管的开启电压VT,则NMOS管工作在截止状态,iDS≈0,输出电压VDS≈VDD称“关态”导通状态:若VGS大于NMOS管的开启电压VT,则NMOS管工作在导通状态,iDS=VDD/(RD+rDS),输出电压VDS=rDSVDD/(RD+rDS)(当rDS<<RD,则VDS≈0V)称“开态”返回雄频佳叁刻勺堰祖造粪蟹巨满盾那内争蛹荔荔钝釜省灸阵封葬种忽瘟军命《数字电路课件》--第二章门电路《数字电路课件》--第二章门电路正负逻辑及其它数字电路中的高电平与低电平电路中能区分高、低电平既可——使门电路导通或截止。一般