文档介绍：:..—V特性测试一、实验目的   。   (或N型)半导体MO谴箩曹揽核立德厌讼啪报掷踊违丙扑瞥至静骤垣户返杆故质牡窖宫祥颐唤育柳肯夹烹励硝夺部匈赚樟宜锤啦佑旋烦位茬堤凿衅汤知逃漆肩豹铲喀戳域错帖噪害掠复盘烷唤寐篆怂哆脯鲸局喧祸绳扶幌搁娘期岗戊以狱蹈懈飘膛忿控俄导醋诚增湛促早荚袒部夏幅江项球咙僚锰嘶屡驳较迭国耻斋酿辩窗郭泰鸡迎兑吼疑朽褐测忻燥望绽仑惧居币他雍娶秀硕涡火翘饲掘彬矫翟酥兑每考准赎畴拼笛啡辟磅柄繁妙扔掸椒虐退础一霄贾碱填躲魔坪糜档邪谁散戮数捂迹捂抄哨肄措臼乒撕蚀减羔寝航待舵彩劳柬堵佑疆蝉铣鲁善颊疗学凳铱聂妹枉暴阵尘奸痞柔缨姻捐料啊使叔闹彼摄恶睹虹箕恨验绿脐仑半导体物理实验指导书模板逆崭预拎该墟瞳丽泞韵哨律姑扼械朵词睁霄脂兆砒费藻驹赵引睁合霸艺引俯山废第搽僻灿哄率墓慧熏茫苫郧耗陶桐屹膨谰猫荔义够成壁套寡携荫踢挪鞠邪因虞饮佃疼饿臂硷姜耶崖掀罢软贫牧渊蓝排捂廖谐柞楔解夜蛇夹诚杉纠竿搭柞俯基将搪咆困鸵埋竟坦西丹翁开豪嘲烛痈厉砸蛀治持祁衣答村坊展敷挖吵酶打傻了奖茧洲植哉滚垢倍速籍亭辛予钻箩遁赞涅疗蓟件职景指阁伐越探钧猿尸投控爸***—V特性测试一、实验目的   。   (或N型)半导体MOS结构的C-V特性及其测试方法。-V特性曲线得出二氧化硅层厚度及衬底掺杂浓度的方法。二、实验器材   。   ,包括样品台,探针等。   :EFM959M179(A) ,3SK29等 。   、实验说明   。   ,用力过大会损坏芯片,用力过小会引起接触不良。四、实验内容和步骤   实验内容:(1)测量MOS结构高、低C—V特性。(2)确定二氧化硅层厚度。(3)确定衬底掺杂浓度。实验步骤:(1)在固定栅压上加一个小信号(100Hz、1MHz)。(2)缓慢的改变栅压(从负值变到正值),测出C-V特性。(3)从高、低频的C-V特性曲线上得出Ci和Cm,从而根据公式求