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掺杂对篗∧そ峁固匦缘挠跋琼李彤宇呦,赵新为篗发光学报引言族半导体材料中的溶解度很低,导致Ⅲ.逑摘要:利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同掺杂的篗∧ぁ=岷蟁光,琓目前,人们已经在Ⅲ.逑〈虐氲继迳献了大量的工作,由于大多过渡金属元素在Ⅲ.磁半导体的自旋注入效率很低,难以获得大的磁性。年,取⑾止山鹗粼K卦牧现泄倘芏冉细撸瞧胶馓跫翸卷第文章编号:.—谱,缀蚐分析了篗∧さ慕峁固匦浴拟合结果显示,,篗∧な贾毡3肿帕窍诵靠蠼峁梗凰孀臡粼优ǘ鹊脑龃螅“位置上的⑸。处的⑸浞宄鱿郑凳玖薓的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了蛃结果的支持。关键词:籑焕幌〈虐氲继中图分类号::文献标识码:,天津:ň├砜拼笱锢硐担毡径ň“和琋—,:篗.,甌%.—甌~畐收稿日期:.—:修订日期:..基金项目:天津市教委项目资助作者简介:李彤,女,辽宁凤城人,博士,主要从事功能材料与器件的研究。甿簂.,.#,琓,“篫;;籨瓺,猰簂.
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缃峁治验峁胩致实固溶度达到%Χ质。此外,早在⒈砹薓粼覼稀磁半导体可实现居里温度高于室温的报道,这一报道引起了科学界对掺杂以下简称〈虐氲继宓难芯咳瘸盵凇=昀矗琈杂〈虐氲继宓难芯恳丫〉。对于铁磁性的来源现在还存在许多争议。除一部分实验研究发现铁磁性来源于第二相,即掺杂的离子团簇及其化合物之外,目前大部分实验研究认为铁磁性来源于其内禀性,也可能来源子调制和交换作用等”结合情况以及对晶体结构的影响。这是因为馄浊慷群推仔头从沉司Ц窕涠杂Ц振动模式状态的改变。不同含量的掺杂到有效利用馄桌戳私饩迥诓康木Щ度以及晶格畸变等信息,这对理解掺杂铁磁性的来源是非常有意义的。而目前关于该方面报道甚少。所以,本文结合馄住谱和治隽瞬煌琈粼恿康腪:薄膜实验使用的靶材是烧结高纯.%固体靶以及金属靶。采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上通过调整功率共溅射篗∧ぁO低痴婵粘橹充人高纯,缸流量为琈ι涔β籓成分分别为、湎哐苌洳饬吭赑末衍射仪上进行,采用靶试。卣髌撞捎孟晕扫描电子显微镜测试。所有测量均在室温下图冉狭瞬煌琈粼恿渴盳:薄膜的住4油可以看出,∧こ氏窒灾择优取向,这表明哂泻芎玫牧窍诵靠蠼峁埂<词筂入∧ず螅裁挥薪鹗鬗⒀趸锖推渌第二相的出现,只有苌浞濉K得鱖:薄膜始终保持着很好的六角纤锌矿结构。图篗∧さ腸轴晶面间距比∧び邢著的增大。这可能是因为薄膜中替代进入苌浞迩慷鹊陀谄渌煞盅贰肌8猛枷允狙稤内,除了苌浞外,还出现了衍射峰。说明样品峋ё刺皇呛芾硐搿3氏侄嗑踔练蔷ё态。这可能是随着掺杂浓度的增加。体中的各类缺陷,如氧空位或锌填隙原子、边界年,取进步。实验发现,不同的制备方法、温度、气氛、材料的结构形态以及厚度都会引起磁性的变于晶格中替代、缺陷、空位的形成以及载流馄啄苡行а芯坎粼永胱釉诨逯械惺保甖晶格结构会发生细微变化。这种变化会引起馄追宓钠狄坪透谋洌蚨梢的结构特性。~,然后痬,工作气压为。ι涔β饰分别为.,粱奔湮....曼光谱仪进行测量,激发波长为。薄膜的表面形貌与成分采用.》⑸进行。逋枷允玖瞬煌琈康腪:薄膜苌浞宓姆糯笸肌K孀臡粼恿康脑加,篗